Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами

Abstract

Приведены результаты численного решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводниковых pn–i–pn-структур с резкими лавинными p–n-переходами. Обнаружен режим многочастотных автоколебаний в Ge, Si и GaAs pn–i–pn-структурах с постоянным обратным смещением. Исследован механизм возбуждения автоколебаний и выполнен спектральный анализ. Показано, что полупроводниковые структуры с резкими p–n-переходами являются автоколебательной системой. На их основе могут быть созданы многочастотные генераторы СВЧ-диапазона.

Приведено результати чисельного рішення рівнянь дифузійно-дрейфової моделі напівпровідникових pn–i–pn-структур з різкими лавинними p–n-переходами. Виявлено режим багаточастотних автоколивань в Ge, Si і GaAs pn–i–pn-структурах з постійним зворотним зсувом. Досліджено механізм збудження автоколивань і виконано спектральний аналіз. Показано, що напівпровідникові структури з різкими p–n-переходами є автоколивальною системою. На їх основі можуть бути створені багаточастотні генератори НВЧ-діапазону.

The results of the numeral solution to the equations of diffusive-drifting model of pn–i–pn-structures with abrupt avalanche p-n-junctions are presented. The regime of multifrequency self-oscillations in Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with the constant reversed bias is discovered. The mechanism of their excitation is explored and the spectral analysis is executed. It is shown that the semiconductor structure with abrupt p-n-junctions is the self-oscillations system. On the basis of the back displaced Ge, Si and GaAs pn–i–pn-structures with optimum parameters multifrequency generators of SHF-range can be created