Методом молекулярной динамики изучен массоперенос в ГЦК-кристалле, подвергнутом импульсной деформации. Рассмотрено влияние подвижных и неподвижных краевых дислокаций на массоперенос с участием собственных междоузельных атомов (МА). Изучен вклад каждого из рассмотренных типов дефектов решётки. Показано, что неподвижные дислокации являются эффективными стоками для собственных МА. Деформационное смещение кристалла вызывает направленное движение дислокаций и ускоренный массоперенос преимущественно в плоскости скольжения. При этом дислокация выступает в роли движущейся ловушки для МА.
Методом молекулярної динаміки вивчено масоперенесення в ГЦК-кристалі, підданому імпульсній деформації. Розглянуто вплив рухомих і нерухомих крайових дислокацій на масоперенесення за участю власних міжвузлових атомів (МА). Вивчено внесок кожного з розглянутих типів дефектів ґратниці. Показано, що нерухомі дислокації є ефективними стоками для власних МА. Деформаційне зміщення кристалу спричинює спрямований рух дислокацій та прискорене масоперенесення переважно в площині ковзання. При цьому дислокація виступає в ролі рухомої пастки для МА.
Mass transfer in f.c.c. crystal under pulse deformation is studied by molecular dynamics simulation. The influence of the mobile and fixed edge dislocations on the mass transfer with self-interstitial atoms is considered. The contribution of each type of lattice defects is examined. As shown, the fixed dislocations are the effective sinks for self-interstitial atoms. The deformation of crystal causes the directed movement of dislocations and the accelerated mass transfer mainly in slip plane. Thus, dislocation acts as a moving trap for interstitial atom.