За допомогою рентґенофлуоресцентної, рентґеноелектронної спектроскопії та з використанням квантово-механічних розрахунків електронної структури виконано комплексне дослідження електронної структури та магнетних властивостей оксидів GdVO₃ і GdNiO₃. Одержано дані про розподіл повних і парціяльних електронних станів у валентній зоні та смузі провідности, зарядових і спінових станів атомів, а також з’ясовано механізм формування хемічних зв’язків і забороненої щілини в енергетичному спектрі оксидів GdMeO₃ (Me = V, Ni).
С помощью рентгенофлуоресцентной и рентгеноэлектронной спектроскопии и с использованием квантово-механических расчётов электронной структуры выполнено комплексное исследование электронной структуры и магнитных свойств оксидов GdVO₃ и GdNiO₃. Получены данные о распределении полных и парциальных электронных состояний в валентной зоне и полосе проводимости, зарядовых и спиновых состояний атомов, механизмов формирования химических связей и запрещённой щели в энергетическом спектре оксидов GdMeO₃ (Me = V, Ni).
Using X-ray fluorescence, X-ray photoelectron spectroscopy, and band structure calculation by means of LAPW method, comprehensive study of electronic structure and magnetic properties of GdVO₃ and GdNiO₃ oxides is carried out. The distribution of total and partial electron states in the valence and conduction bands, charge and spin states of atoms are determined, and the mechanism of formation of the chemical bonds and band-gap in the energy spectra of the GdMeO₃ (Me = V, Ni) oxides is elucidated.