Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за темою "Твердотельная СВЧ-микроэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Твердотельная СВЧ-микроэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников 
    Босый, В.И.; Иващук, А.В.; Ковальчук, В.Н.; Семашко, Е.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты ...
  • Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков 
    Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Иващенко, А.Н.; Босый, В.И.; Максименко, А.Г.; Сапон, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое ...
  • Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения 
    Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Коржинский, Ф.И.; Чмиль, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А²В⁶ и их твердых растворов. ...
  • Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях 
    Москалюк, В.А.; Тимофеев, В.И.; Иващук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.
  • Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ 
    Бобженко, С.В.; Май, В.И.; Новицкий, В.А.; Ткаченко, В.В.; Ткаченко, А.В.; Угрин, М.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Описаны оригинальные конструкции арсенидгаллиевых диодов с барьером Шоттки, которые успешно используются в преобразователях частоты сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн. С целью освоения субмиллиметрового ...