Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за темою "Сенсоэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Сенсоэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Автотрассовый газоанализатор 
    Девятко, Г.А.; Кучменко, В.А.; Лацис, С.А.; Орлов, М.А.; Партышев, В.А.; Подольский, В.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Создан и внедрен в составе системы экологического мониторинга атмосферного воздуха г. Киева компьютеризированный автотрассовый газоанализатор для измерения концентрации токсичных газов в воздухе вдоль автомагистралей в ...
  • Акустические датчики для дистанционного контроля давления 
    Карапетьян, Г.Я.; Багдасарян, А.С.; Катаев, В.Ф.; Катаева, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Разработана система дистанционного контроля давления с использованием датчиков на основе составной линии задержки на поверхностных акустических волнах. Приведена структура аппаратных средств опросного устройства.
  • Акустоэлектронные сенсоры газа со слоистыми структурами 
    Лепих, Я.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Приведены результаты разработки и исследований слоистых акустоэлектронных сенсоров газа с адсорбционными пленками Ленгмюра—Блоджетт на поверхности звукопровода.
  • Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия 
    Добровольский, Ю.Г.; Шабашкевич, Б.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Разработан неселективный анизотропный приемник теплового излучения с диапазоном измерения энергетической освещенности от 10 до 20000 Вт/м², который рекомендован для контроля санитарных норм при аттестации рабочих мест.
  • Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію 
    Дружинін, А.О.; Мар’ямова, І.Й.; Кутраков, О.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019)
    Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10⁻³ ...
  • Вихретоковый анизотропный термоэлектрический первичный преобразователь лучистого потока 
    Ащеулов, А.А.; Бучковский, И.А.; Величук, Д.Д.; Романюк, И.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Представлена оригинальная конструкция первичного преобразователя лучистого потока, который может служить основой для создания приемника неселективного излучения с повышенной чувствительностью.
  • Выбор базовых элементов двухосного мультисенсорного инерциального датчика 
    Мухоед, Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложена базовая схема построения двухосного мультисенсорного инерциального датчика (МИД), позволяющего одновременно измерять переносные линейное ускорение и угловую скорость по двум осям в связанной с летательным аппаратом ...
  • Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Кутраков, А.П.; Марьямова, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Проведены исследования, направленные на создание тензорезистивных датчиков давления на основе ни/невидных кристаллов кремния, работоспособных при высоких температур. Использование стеклоприпоя для крепления тензорезисторов ...
  • Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления ...
  • Датчик давления с тензочувствительным преобразователем на поверхностных акустических волнах 
    Лепих, Я.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    На примере датчика давления с пьезокерамическим преобразователем на ПАВ показана перспективность использования тензоэффекта в датчиках физических величин.
  • Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов 
    Перевертайло, В.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Определены требования к конструкции технологии изготовления р- и n-канальных МОП-транзисторов с толстым слоем оксида, предназначенных для применения в качестве интегральных дозиметров поглощенной дозы ионизирующего излучения.
  • Датчики на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля температуры 
    Катаев, В.Ф.; Багдасарян, А.С.; Карапетьян, Г.Я.; Днепровский, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Предлагаемый датчик позволяет создать системы для беспроводного дистанционного контроля температуры в труднодоступных местах, а также различных биологических объектов.
  • Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi 
    Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Завербный, И.Р.; Мрыхин, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, ...
  • Датчик скорости газового потока 
    Годованюк, В.Н.; Рюхтин, В.В.; Михайличенко, Ю.С.; Швец, А.Г.; Шимановский, А.Б.; Фединчук, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    В предложенной конструкции датчика используется связь между скоростью потоков газа и тепла внутри самого датчика. Разработана планарная технология изготовления датчика и методика измерений в диапазоне температур.
  • Датчик угла поворота генераторного типа с элементом на поверхностных акустических волнах 
    Лепих, Я.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Разработан интеллектуализированный датчик угла поворота с акустоэлектронным элементом оригинальной конструкции, выполняющим роль линии задержки.
  • Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С.; Вуйцик, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом∙см, который работоспособен в интервале температур от –100 до ...
  • Детекторные свойства Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы 
    Кондрик, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
    Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd₀,₉Zn₀,₁Te:Al после γ-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного ...
  • Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью 
    Готра, З.Ю.; Голяка, Р.Л.; Павлов, С.В.; Куленко, С.С.; Манус, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Анализируются проблемы создания дифференциального термометра с разрешающей способностью порядка 0,001° С. Представлены результаты расчета, моделирования и практической реализации такого термометра.
  • Емкостный датчик давления для АЭС и нефтехимической промышленности 
    Лепих, Я.И.; Лопушенко, В.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Описан разработанный датчик избыточного давления для систем контроля технологических параметров АЭС и предприятий нефтехимической промышленности. В отличие от датчиков на структурах "кремний-на-сапфире", датчик использует ...
  • Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню 
    Кутова, О.Ю.; Душейко, М.Г.; Лобода, Б.О.; Обухова, Т.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    Досліджено механізми зміни провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» найпростіших резистивних сенсорів під впливом перекису водню. Показано, що зміна провідності сенсора під час розкладу ...