Перегляд за автором "Хохлов, Д.Р."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Импеданс полупроводниковых клатратов Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x 
    Якимчук, А.В.; Заикина, Ю.В.; Решетова, Л.Н.; Рябова, Л.И.; Хохлов, Д.Р.; Шевельков, А.В. (Физика низких температур, 2007)
    Исследованы температурные и частотные зависимости компонент полного импеданса керамических образцов клатратов переменного состава Sn₂₄P₁₉,₃BrxI₈₋x в диапазоне частот от 20 до 10⁶ Гц при температурах от 4,2 до 200 К. ...
  • Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) 
    Акимов, Б.А.; Прядун, В.В.; Рябова, Л.И.; Слынько, Е.И.; Хохлов, Д.Р.; Штанов, В.И. (Физика низких температур, 2004)
    Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных ...
  • Фурье-спектроскопия задержанной фотопроводимости в пленках PbSnTe(In) при низких температурах 
    Иконников, А.В.; Черничкин, В.И.; Акопян, Д.А.; Дудин, В.С.; Долженко, Д.Е.; Никорич, А.В.; Рябова, Л.И.; Хохлов, Д.Р. (Физика низких температур, 2019)
    Выполнены исследования спектров фотопроводимости методом фурье-спектроскопии в твердом растворе Pb₁–xSnxTe(In) при низких температурах. Показано, что гашение задержанной фотопроводимости в Pb₁–xSnxTe(In) радиоимпульсами ...