Перегляд за автором "Хейфец, О.Л."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства (PbSe)₀.₈(AgAsSe₂)₀.₂ 
    Хейфец, О.Л.; Тебеньков, А.В.; Филиппов, А.Л.; Шакиров, Э.Ф.; Мельникова, Н.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2011)
    В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, был синтезирован халькогенид (PbSe) ₀.₈ (AgAsSe₂) ₀.₂. Проведены исследования его электрических свойств в области частот до 200 ...
  • Влияние высоких давлений и магнитных полей на электрические свойства халькогенидов (PbSe)x(AgAsSe2)1-x (х = 0. 5, 0. 9) 
    Хейфец, О.Л.; Пинигина, К.С.; Тебеньков, А.В.; Филиппов, А.Л.; Шакиров, Э.Ф.; Мельникова, Н.В.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2013)
    В рамках поиска материалов, сочетающих ионную проводимость с сегнетоэлектрическими свойствами, были синтезированы халькогениды (PbSe)x(AgAsSe2)1−x (х = 0.5, 0.9). Проведены исследования их электрических свойств в области ...
  • Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃ 
    Хейфец, О.Л.; Мельникова, Н.В.; Моллаев, А.Ю.; Сайпулаева, Л.А.; Каллаев, С.Н.; Ферзалиев, Р.М.; Алибеков, А.Г.; Бабушкин, А.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2009)
    Исследованы электрические свойства под давлением 15–45 GPa кристаллических халькогенидов AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃. Обнаружены области существования в соединениях фазовых переходов. Проведено ...
  • Влияние давления на свойства сложных оксидов иттрия 
    Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шкерин, С.Н. (Физика и техника высоких давлений, 2005)
    Методом импедансной спектроскопии исследованы электрические свойства оксидов YBa₂Cu₂.₅Mn₀.₅O₉ и YBa₂Cu₂.₅Mn₀.₅S₀.₅O₈ при давлениях 15−45 GPa. Определены области существования в оксидах фазовых переходов. Исследовано влияние ...
  • Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) 
    Хейфец, О.Л.; Бабушкин, А.Н.; Шабашова, О.А.; Мельникова, Н.В. (Физика низких температур, 2007)
    Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной ...