Перегляд за автором "Соловьев, Я.А."

Результати 1-5 з 5

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку

Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Высоцкий, В.Б.; Дудкин, А.И.; Ковальчук, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Исследованы режимы осаждения пленок нитрида и оксида кремния методам PECVD. Установлена связь между ключевыми параметрами процесса осаждения и скоростью осаждения, а также уровнем внутренних механических напряжений в пленках.
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

Ануфриев, Л.П.; Баранов, В.В.; Соловьев, Я.А.; Тарасиков, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа

Баранов, В.В.; Соловьев, Я.А.; Кошкаров, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Рассмотрены конструктивно-технологические особенности и характеристики кремниевых диодов Шоттки, создаваемых в стеклянных корпусах, требующих обеспечения термостойкости кристаллов на уровне 650°С.
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Кучинский, П.В.; Комаров, Ф.Ф.; Мильчанин, О.В.; Ковалева, Т.Б.; Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьев, Я.А.; Гапоненко, С.В. (Электрические контакты и электроды, 2014)

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. ...

Результати 1-5 з 5

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Соловьев, Я.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Соловьев, Я.А."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис