Перегляд за автором "Сизов, Ф.Ф."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Литовченко, Н.М.; Насека, Ю.Н.; Прохорович, А.В.; Рашковецкий, Л.В.; Стрильчук, О.Н.; Сизов, Ф.Ф.; Войциховская, О.О.; Данильченко, Б.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
    Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение ...
  • Сизов, Ф.Ф.; Бехтір, О.В.; Білевич, Є.О.; Голенков, О.Г.; Гордієнко, Е.Ю.; Грінченко, М.Т.; Гуменюк-Сичевська, Ж.В.; Духнін, С.Є.; Забудський, В.В.; Завадський, П.В.; Ільницький, І.І.; Кравченко, С.Л.; Крайовий, В.М.; Рева, В.П.; Корінець, С.В.; Писаренко, Л.О.; Фоменко, Ю.В.; Шевчик, А.В.; Шустакова, Г.В. (2005)
    Розглянуто основні характеристики та принципи побудови і функціонування малогабаритного тепловізора на основі багатоелементного фотоприймального пристрою формату 2×64 з телевізійною частотою кадрів та високою температурною ...
  • Сизов, Ф.Ф.; Гришин, Ю.Г.; Круковський, С.І.; Опилат, В.Я.; Петренко, І.В.; Савкіна, Р.К.; Смірнов, О.Б.; Тартачник, В.П. (2009)
    Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля ...
  • Цибрий, З.Ф.; Андреева, Е.В.; Апатская, М.В.; Бунчук, С.Г.; Вуйчик, Н.В.; Голенков, А.Г.; Дмитрук, Н.В.; Забудский, В.В.; Лысюк, И.А.; Свеженцова, Е.В.; Смолий, М.И.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы ...
  • Сизов, Ф.Ф.; Забудський, В.В.; Голенков, О.Г.; Кравченко, С.Л.; Корнієнко, Б.П. (2009)
    Розглянуто можливості ефективного тепловізійного неруйнівного контролю будівель та споруд із застосуванням тепловізора, розробленого та виготовленого в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
  • Мележик, Е.А.; Сизов, Ф.Ф.; Шевчук, О.В.; Гуменюк-Сычевская, Ж.В. (Доповіді НАН України, 2020)
    Исследованы существующие в мировой научной литературе методики расчета ИК-излучения газотурбинных двигателей (ГТД). Описан состав газов в выхлопе ГТД и приведены данные об основных спектральных свойствах таких газов, которые ...
  • Рева, В.П.; Коринец, С.В.; Голенков, А.Г.; Сапон, С.В.; Торчинский, А.М.; Забудский, В.В.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Описаны принципы работы фотоматриц видимого излучения и ближнего инфракрасного диапазона, спроектированных на основе приборов с зарядовой связью с электронным умножением (ПЗС-ЭУ), и обсуждена архитектура построения таких ...
  • Каменев, Ю.Е.; Сизов, Ф.Ф.; Добровольский, В.Н. (2008)
    Предложен болометрический приемник на горячих носителях заряда (электронах) миллиметрового и субмиллиметрового излучений с прямым детектированием сигналов, функционирующий при комнатной или пониженной температурах, при ...
  • Руденкo, Е.М.; Короташ, І.В.; Шаповалов, А.П.; Цибрій, З.Ф.; Білоголовський, М.О.; Полоцький, Д.Ю.; Шлапак, Ю.В.; Чміль, В.М.; Глушеченко, Е.М.; Чміль, В.В.; Пилипенко, А.М.; Сизов, Ф.Ф. (Доповіді НАН України, 2015)
    Обговорюється питання використання полiмерних плiвок як фiльтрiв iнфрачервоного (IЧ) випромiнювання. Виконано числовi розрахунки теплофiзичних характеристик полiмерних плiвок, розмiщених на перерiзi круглого хвилеводу. ...
  • Рева, В.П.; Марчишин, И.В.; Коринец, С.В.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Спроектированы и изготовлены устройства считывания для матриц ИК-фотодиодов формата 320x256 и 640x512. Рассмотрена архитектура построения и влияние геометрических размеров элементов схем считывания на выходные параметры ...
  • Сизов, Ф.Ф.; Голенков, А.Г.; Рева, В.П.; Забудский, В.В.; Коринец, С.В.; Торчинский, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    Исследованы чувствительность и основные электрические характеристики разработанных матриц приборов с зарядовой связью и электронным умножением с прямой засветкой формата 576×288 и 640×512 при комнатной температуре и низкой ...