Перегляд за автором "Семашко, Е.М."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников 
    Босый, В.И.; Иващук, А.В.; Ковальчук, В.Н.; Семашко, Е.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты ...
  • Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах 
    Босый, В.И.; Коржинский, Ф.И.; Семашко, Е.М.; Середа, И.В.; Середа, Л.Д.; Ткаченко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
  • Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов 
    Босый, В.И.; Данилов, Н.Г.; Кохан, В.П.; Новицкий, В.А.; Семашко, Е.М.; Ткаченко, В.В.; Шпоняк, Т.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.