Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются ...

В настоящей работе рассматриваются процессы усиления и стабилизации в преобразователях изображений ионизационного типа. Для усиления фототока в газоразрядную ячейку дополнительно введен сеточный электрод. Изучено влияние ...

Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость ...

В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной ...

В пленках PbTe исследованы зависимости холовских концентраций и подвижностей носителей заряда, коэффициентов термо ЭДС и теплопроводности от количества вводимых примесей Bi и Sb. Определены оптимальные условия легирования, ...