Перегляд за автором "Новицкий, В.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Бобженко, С.В.; Май, В.И.; Новицкий, В.А.; Ткаченко, В.В.; Ткаченко, А.В.; Угрин, М.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Описаны оригинальные конструкции арсенидгаллиевых диодов с барьером Шоттки, которые успешно используются в преобразователях частоты сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн. С целью освоения субмиллиметрового ...
  • Босый, В.И.; Данилов, Н.Г.; Кохан, В.П.; Новицкий, В.А.; Семашко, Е.М.; Ткаченко, В.В.; Шпоняк, Т.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.