Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за автором "Мокрицкий, В.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Мокрицкий, В.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива 
    Мокрицкий, В.А.; Маслов, О.В.; Банзак, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    Проведен анализ опыта авторов в создании системы контроля состояния отработавшего ядерного топлива (ОЯТ), а именно глубины выгорания, начального обогащения и времени выдержки, проведен на основании измерений спектров ...
  • Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля 
    Мокрицкий, В.А.; Маслов, О.В.; Николаенко, Ю.Е.; Максимов, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Пропорциональный импульсный режим работы CdZnTe-детектора позволяет существенно повысить качество измерений, компенсировать энергетическую зависимость чувствительности.
  • Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия 
    Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
  • Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры 
    Мокрицкий, В.А.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследовано влияние радиационной обработки быстрыми электронами и быстрыми нейтронами на полупроводниковые микросхемы, используемые в качестве первичных преобразователей температуры, и гибридные микросборки, предназначенные ...
  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент 
    Гаркавенко, А.С.; Мокрицкий, В.А.; Банзак, О.В.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные ...
  • Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки 
    Гаркавенко, А.С.; Мокрицкий, В.А.; Банзак, О.В.; Завадский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.
  • Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем 
    Мокрицкий, В.А.; Банзак, О.В.; Волосевич, В.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Обнаружена стойкость основных пара-метров микросборок, предназначенных для измерения и стабилизации температуры первичных преобразователей неэлектрических величин, к воздействию быстрыми электронами и нейтронами. Показаны ...
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
  • Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    На основе разработанной авторами модели массопереноса предложен новый метод эпитаксии толстых слоев. Метод предусматривает рост различных частей слоев в двухслойных системах, получаемых из раствора-расплава, и позволяет ...
  • Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов 
    Гаркавенко, А.С.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Фосфид галлия — основной материал светодиодов красного и зеленого цвета излучения. Однако он не является прямозонным материалом, что не позволяет использовать его для создания лазеров. Предлагается превратить его в прямозонный ...
  • Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок 
    Ротнер, С.М.; Мокрицкий, В.А.; Лагутин, В.В.; Медведенко, Ю.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Рассматриваются свойства и предлагаются условия синтеза и легирования углеродных (алмазоподобных) пленок для изготовления на их основе мощных резисторов нового поколения.
  • Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения 
    Мокрицкий, В.А.; Ленков, С.В.; Маслов, О.В.; Савельев, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для ...
  • Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe 
    Завадский, В.А.; Зубарев, В.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и ...
  • Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия 
    Мокрицкий, В.А.; Гаркавенко, А.С.; Зубарев, В.В.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов ...