Перегляд за автором "Марков, А.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" 
    Косяченко, Л.А.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной ...
  • Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe 
    Боднарук, О.А.; Громко, Е.Д.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М.; Швец, А.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Координатно-чувствительные термоэлектрически охлаждаемые фотоприемные устройства регистрируют угол положения излучения и его мощность в диапазоне 8-14 мкм.
  • Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников 
    Косяченко, Л.А.; Раренко, И.М.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны ...