Перегляд за автором "Малышко, В.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн 
    Карушкин, Н.Ф.; Малышко, В.В.; Ореховский, В.В.; Тухаринов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
    Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в ...
  • Нитридгаллиевый диод с туннельной инжекцией 
    Гончарук, Н.М.; Карушкин, Н.Ф.; Малышко, В.В.; Ореховский, В.А. (Радіофізика та електроніка, 2013)
    В данной работе впервые предложен и исследуется диод на основе однобарьерной наноструктуры с нерезонансным туннелированием электронов и их последующим дрейфом в пролетном слое. Исследования проводились в рамках модели ...
  • Полупроводниковый генератор импульсного действия с электронным переключением частот Ka-диапазона 
    Дворниченко, В.П.; Карушкин, Н.Ф.; Малышко, В.В.; Ореховский, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Приводятся результаты разработки генераторов импульсного действия с электронным переключением частоты. В качестве задающего высокостабильного источника СВЧ-импульсов применен малогабаритный синтезатор частоты 8-миллиметрового ...
  • Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре 
    Гончарук, Н.М.; Карушкин, Н.Ф.; Ореховский, В.А.; Малышко, В.В. (Радіофізика та електроніка, 2014)
    Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. ...