Перегляд за автором "Луцишин, І.Г."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мазарчук, І.О.; Кролевець, М.М.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
    Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення ...
  • Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного ...
  • Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний ...