Перегляд за автором "Кудрик, Р.Я."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов 
    Басанец, В.В.; Слепокуров, В.С.; Шинкаренко, В.В.; Кудрик, Р.Я.; Кудрик, Я.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на ...
  • Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN 
    Кудрик, Р.Я. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015)
    Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃.
  • Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) 
    Кудрик, Я.Я.; Шинкаренко, В.В.; Слепокуров, В.С.; Бигун, Р.И.; Кудрик, Р.Я. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
    Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки ...
  • Технология изготовления контактов к карбиду кремния 
    Кудрик, Я.Я.; Бигу, Р.И.; Кудрик, Р.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Систематизированы имеющиеся а различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ ...