Перегляд за автором "Дружинин, А.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Кутраков, А.П.; Марьямова, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Проведены исследования, направленные на создание тензорезистивных датчиков давления на основе ни/невидных кристаллов кремния, работоспособных при высоких температур. Использование стеклоприпоя для крепления тензорезисторов ...
  • Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления ...
  • Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Матвиенко, С.М.; Когут, Ю.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    На основе сильнолегированных нитевидных кристаллов Si-Ge создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях магнитных полей.
  • Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С.; Вуйцик, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом∙см, который работоспособен в интервале температур от –100 до ...
  • Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Лях-Кагуй, Н.С.; Маслюк, В.Т.; Мегела, И.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах.
  • Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Матвиенко, С.Н.; Хорвенко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные ...
  • Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
    Исследована частотная зависимость активного сопротивления нитевидных кристаллов кремния, легированных бором в разной концентрации, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл — диэлектрик», в температурном ...
  • Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев 
    Дружинин, А.А.; Голота, В.И.; Когут, И.Т.; Ховерко, Ю.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Проведен обзор существующих и перспективных типов плоских дисплеев. Предложены матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев, разработана последовательность базовых операций их изготовления.
  • Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов 
    Дружинин, А.А.; Ховерко, Ю.Н.; Вуйцик, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Предложенный вариант сопряжения тензорезисторов с микроконтроллерами позволяет использовать микроконтроллеры Atmel ATMega·для сопряжения сенсорных устройств с современными компьютерными системами. В разработанной·на основе ...
  • Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Матвиенко, С.М.; Вуйцик, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Предложен интеллектуальный датчик для измерения давления и температуры с коррекцией характеристик кремниевых измерительных тензорезисторов по температуре.
  • Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации ...
  • Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Бережанский, Е.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Показана возможность использования в качестве антиотражающей поверхности фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) ансамблей нанопроволок кремния. Разработан технологический процесс получения нано размерных структур ФЭП и ...
  • Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Павловский, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Разработаны преобразователи давления жидкого азота и жидкого гелия с тензорезисторами на основе использования классического и неклассического тензорезистивного эффекта в кремнии.
  • Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
    Представлены результаты серии экспериментальных исследований по выращиванию нитевидных нанокристаллов (ННК) кремния методом химического парового осаждения в открытой проточной системе по механизму «пар—жидкость—кристалл» ...
  • Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов 
    Дружинин, А.А.; Голота, В.И.; Когут, И.Т.; Сапон, С.В.; Ховерко, Ю.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Предложена структура преобразования топологической информации для цифровой литографии. Разработаны метод формирования трехмерных структур кремний-на-изоляторе и элементы управления автоэмиссионного микрокатода.
  • Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Литовченко, П.Г.; Павловская, Н.Т.; Павловский, Ю.В.; Цмоць, В.М.; Поварчук, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Приведены результаты исследования влияния облучения γ-квантами дозами до 1·10¹⁸ см⁻² и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале температуры 4,2-300 К.
  • Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов 
    Дружинин, А.А.; Голота, В.И.; Когут, И.Т.; Ховерко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Разработаны приборные элементы на локальных трехмерных КНИ-структурах. Сравниваются расчетные и экспериментальные характеристики КНИ МОП-транзисторов. Спроектирована топология микрокатода, интегрированного со схемой управления.
  • Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Бережанский, Е.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Разработана система измерения индукции магнитного поля и температуры с использованием нитевидных кристаллов кремния р-типа проводимости в качестве первичных преобразователей. Система позволяет в интервале 4,2—77 К производить ...
  • Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Кутраков, А.П.; Павловский, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Исследованы тензометрические характеристики микрокристаллов кремния р-типа. Разработаны тензорезисторы для различных диапазонов низкой температуры, включая температуру жидкого гелия, а также для работы в сильных магнитных ...
  • Универсальная система для измерения усилия-перемещения 
    Дружинин, А.А.; Матвиенко, С.Н.; Вуйцик, А.М.; Кутраков, А.П.; Ховерко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Система для измерения усилия-перемещения с цифровой обработкой сигнала осуществляет усиление, дискретизацию, усреднение сигнала и передачу данных на персональный компьютер.