Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ...

Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну ...

Вперше, використовуючи метод термодинамічних потенціалів та кристалохімічний формалізм, визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення та величину диспропорціонування зарядових станів катіонних вакансій ...