Батаев, М.; Батаев, Ю.; Бриллсон, Л.
(Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2011)
Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения 3⋅10¹⁵ см⁻². Структуры c высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое ...