Перегляд за автором "Апатская, М.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe 
    Цибрий, З.Ф.; Андреева, Е.В.; Апатская, М.В.; Бунчук, С.Г.; Вуйчик, Н.В.; Голенков, А.Г.; Дмитрук, Н.В.; Забудский, В.В.; Лысюк, И.А.; Свеженцова, Е.В.; Смолий, М.И.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы ...
  • Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов 
    Рева, В.П.; Голенков, А.Г.; Забудский, В.В.; Коринец, С.В.; Цибрий, З.Ф.; Гуменюк-Сычевская, Ж.В.; Бунчук, С.Г.; Апатская, М.В.; Лысюк, И.А.; Смолий М.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Приемник может быть использован в системах с высокой разрешающей способностью по температуре. Среднее значение температуры излучения, эквивалентной шуму, составляет 20±4мК.