Перегляд за автором "Каримов, А.В."

Результати 1-20 з 34

Наступна сторінка

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах

Рахматов, А.З.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) ...
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, ...
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения ...
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

Абдулхаев, О.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой ...
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур

Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)

Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие ...
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каримов, А.А.; Асанова, Г.О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса.
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Петров, Д.А.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Предложен новый метод измерения на пряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого ...
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре

Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)

На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления ...
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Мирджалилова, М.А.; Асанова, Г.О.; Абдулхаев, О.А.; Мухутдинов, Ж.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры ...
Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Каримов, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2013)

Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому ...
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Якубов, Э.Н.; Юлдашев, Ш.Ш.; Тураев, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого ...
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода

Каримов, А.В.; Каримов, А.А.; Рахманов, А.З.; Дадаматова К.Т. (Физическая инженерия поверхности, 2014)

Рассмотрены тепловые процессы в высокочастотном диоде, позволяющие определить динамику изменения температуры в каждой части диода в зависимости от длительности воздействующего импульса, а также прогнозировать максимальную ...
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Зоирова, Л.Х.; Абдулхаев, О.А.; Джураев, Д.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность ...
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе

Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для ...
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами

Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Результаты могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

Результати 1-20 з 34

Наступна сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Каримов, А.В."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Каримов, А.В."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис