Перегляд за автором "Гайдар, Г.П."

Результати 21-26 з 26

Попередня сторінка

Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия

Гайдар, Г.П.; Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)

Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность ...
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)

Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також ...
Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами

Долголенко, А.П.; Гайдар, Г.П.; Варенцов, М.Д.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)

Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe ...
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У ...
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Термоелектрика, 2009)

У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, ...
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)

Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС.

Результати 21-26 з 26

Попередня сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Гайдар, Г.П."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Гайдар, Г.П."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис