Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃

Abstract

Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. “Временные ряды” составлены из деформационной зависимости активной и реактивной частей импеданса пленок теллуридов висмута-сурьмы, измеренных в широком частотном диапазоне. Измерены вариации активного сопротивления и емкости нанокристаллических пленок теллуридов висмута-сурьмы при наложении необратимой деформации. По этим вариациям определена ЭПЭПС и найдена ее деформационная зависимость. Процедура определения электронных поверхностных состояний требует высокого уровня автоматизации проводимых измерений. Для каждой частоты, на которой определяется импеданс, требуется измерить более 10³ значений активной и реактивной частей импеданса при наложении деформации.

Використання часових рядів і регресивного аналізу, разом з обчисленням розмірності вкладення “часового ряду” дозволило розробити методику визначення ефективної щільності електронних поверхневих станів (ЕЩЕПС) у нанокристалічних напівпровідникових плівках при накладенні циклічної деформації. “Часові ряди” складені з деформаційної залежності активної і реактивної частин імпедансу плівок телуридів вісмуту-сурми, виміряних у широкому частотному діапазоні. Виміряно варіації активного опору і ємності нанокристалічних плівок телуридів вісмуту-сурми при накладенні необоротної деформації. За цими варіаціями визначена ЕЩЕПС і знайдена її деформаційна залежність. Процедура визначення електронних поверхневих станів вимагає високого рівня автоматизації проведених вимірів. Для кожної частоти на якій визначається імпеданс, потрібно вимірити понад 10³ значень активної і реактивної частин імпедансу при накладенні деформації.

Use of temporary lines and regression analysis, together with calculation of dimension of an investment “of a temporary line” has allowed to develop a technique of definition of effective density of electronic superficial condition (EDESC) in nanocrystal of semiconductor films at imposing cyclic deformation. “Temporary lines” are made from deformation of dependence of active and jet parts of an impedance films tellurid of vismutantimony measured in a wide frequency range. The variations of active resistance and capacities nanocrystal films tellurid of vismut-antimony are measured at imposing irreversible deformation. On these variations is determined (EDESC) and is found her deformation dependence. The procedure of definition of electronic superficial condition requires a high level of automation of spent measurements. For each frequency on which the impedance is defined, it is required to measure more than 10³ meanings of active and jet parts of an impedance at imposing deformation.