Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов

dc.contributor.author	Шпотюк, О.И.
dc.contributor.author	Гадзаман, И.В.
dc.contributor.author	Охримович, Р.В.
dc.contributor.author	Вакив, Н.М.
dc.contributor.author	Осечкин, С.И.
dc.contributor.author	Цмоць, В.М.
dc.contributor.author	Брунец, И.М.
dc.date.accessioned	2014-11-13T06:24:13Z
dc.date.available	2014-11-13T06:24:13Z
dc.date.issued	2002
dc.identifier.citation	Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов / О.И. Шпотюк, И.В. Гадзаман, Р.В. Охримович, Н.М. Вакив, С.И. Осечкин, В.М. Цмоць, И.М. Брунец // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 55-57. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70793
dc.description.abstract	На примере Coобогащенного состава Cu₀,₁Ni₀,₁Mn₁,₂Co₁,₆O₄ показана возможность использования полупроводниковой шпинельной керамики системы NiMn₂O₄-CuMn₂O₄-MnCo₂O₄ для получения высокостабильных толстопленочных терморезисторов с высоким значением тепловой постоянной. Отработан технологический процесс получения толстых плёнок, изучен их фазовый состав, электрические свойства и стабильность. Полученные пленки характеризуются хорошей морфологией структуры и высокой плотностью. Исследовано влияние толщины слоя на стабильность электрических параметров.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.316.825