Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

dc.contributor.author	Горев, Н.Б.
dc.contributor.author	Коджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.author	Привалов, Е.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-08T21:40:03Z
dc.date.available	2014-01-08T21:40:03Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52885
dc.description.abstract	Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Электронные средства: исследования, разработки	uk_UA
dc.title	Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs	uk_UA
dc.title.alternative	Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA