Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

Краснов, В.А. ; Шварц, Ю.М. ; Шварц, М.М. ; Копко, Д.П. ; Ерохин, С.Ю. ; Фонкич, А.М. ; Шутов, С.В. ; Сыпко, Н.И.

Інші назви: Дослідження термометричних характеристик GaP-діодів p⁺–n-типу
Investigation of thermometrical characteristics of p⁺–n-GaP diodes

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52536

Посилання: Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2008

Завантажень: 518

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

Анотація:

Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.

Показати повний запис статті