Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем енергетики
→
Моделювання та інформаційні технології
→
Моделювання та інформаційні технології, 2011
→
Моделювання та інформаційні технології, 2011, вип. 59
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Ліщинська, Л.Б.
dc.date.accessioned	2011-12-25T17:52:07Z
dc.date.available	2011-12-25T17:52:07Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах / Л.Б. Ліщинська // Моделювання та інформаційні технології: Зб. наук. пр. — К.: ІПМЕ ім. Г.Є. Пухова НАН України, 2011. — Вип. 59. — С. 41-48. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	XXXX-0068
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/29661
dc.description.abstract	The mathematical model of two breech-block field transistor is grounded in the mode of direct displacement on breech-blocks as an indefinite matrix of conductivity of 4th orders. Analytical dependences of parameters of this model are got on the parameters of semiconductor structure.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г.Є. Пухова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Моделювання та інформаційні технології
dc.title	Математична модель двохзатворного польового транзистора в режимі прямого зміщення на затворах	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.317