Nanostructures in the form of thin films exhibiting the semiconductor properties with a narrow energy-band gap are deposited from the CrSi₂ and β-FeSi₂ targets by means of the pulsed laser deposition (PLD) assisted with an excimer KrF laser.
Наноструктури у формі тонких плівок, що проявили напівпровідникові властивості, з вузькою енергетичною забороненою зоною було осаджено методом імпульсного лазерного осадження (PLD) з мішеней CrSi₂ і β-FeSi₂ із застосуванням ексимерного KrF-лазера.
Наноструктуры в форме тонких плёнок, которые проявили полупроводниковые свойства, с узкой энергетической запрещённой зоной были осаждены методом импульсного лазерного осаждения (PLD) из мишеней CrSi₂ и β-FeSi₂ с применением эксимерного KrF-лазера.