Вопросы атомной науки и техники, 2016, № 1
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/111605
2024-03-28T14:16:41Z3-я Международная конференция «Высокочистые материалы: получение, применения, свойства»
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/111777
3-я Международная конференция «Высокочистые материалы: получение, применения, свойства»
15–18 сентября 2015 года в Харькове проходила 3-я Международная конференция «Высокочистые материалы: получение, применения, свойства», по- священная памяти академика НАН Украины Владимира Михайловича Ажажи. В организации Конференции приняли участие: Национальная академия наук Украины, Отделение ядерной физики и энергетики НАНУ, Национальный научный центр «Харьковский физико-технический институт», Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина.
2016-01-01T00:00:00ZК 85-летию со дня рождения Тихинского Геннадия Филипповича (12.08.1930-18.09.1995)
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/111776
К 85-летию со дня рождения Тихинского Геннадия Филипповича (12.08.1930-18.09.1995)
2016-01-01T00:00:00ZThe temperature anomalies of the YBa₂Cu₃O₆.₉ charge carriers density from 290 K to TC
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/111775
The temperature anomalies of the YBa₂Cu₃O₆.₉ charge carriers density from 290 K to TC
Frolov, V.A.
A possibility of HTSC’s electronic properties investigating by means of measuring the electrical resistance rС of HTSC/normal metal interface is grounded. An existence of the correlations between anomalies of rС and anomalies of density nf of HTSC charge carriers is shown. The correlations between the anomalies of dependence rС(T) for interface YBa₂Cu₃O₆.₉/In and anomalies of temperature dependences of YBa₂Cu₃O₆.₉ lattice cell parameters b and c are demonstrated. The conclusion is made that the reason of anomalies rС at T>>TC is pairing the hole charge carriers of YBa₂Cu₃O₆.₉ to positive bosons. Sharp and deep rС-anomaly before n-s-transition correlates to well-known sign-reversal effect of Hall coefficient. It is explained by bosons disintegration and posterior intensive conversion of hole carriers to electrons.; Обґрунтовано можливість дослідження електронних властивостей високотемпературного надпровідника (ВТНП) за допомогою вимірювання електроопору rС його інтерфейсу з нормальним металом. Показано існування кореляцій між аномаліями rС і аномаліями щільності nf носіїв заряду ВТНП. Відносно інтерфейсу YBa₂Cu₃O₆.₉/In встановлено кореляції між аномаліями залежності rС(Т) і аномаліями температурних залежностей параметрів b і c елементарної комірки YBa₂Cu₃O₆.₉. Зроблено висновок про те, що причиною аномалій rС при T>>TC є спарювання діркових носіїв заряду YBa₂Cu₃O₆.₉ в позитивно заряджені бозони. Різка і глибока аномалія rС перед n-s-переходом корелює з добре відомим ефектом зміни знаку коефіцієнта Холла. Вона пояснена розпадом бозонів і послідовною інтенсивною конверсією діркових носіїв в електрони.; Обоснована возможность исследования электронных свойств высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) при помощи измерения электрического сопротивления rС его интерфейса с нормальным металлом. Показано существование корреляций между аномалиями rС и аномалиями плотности nf носителей заряда ВТСП. Для интерфейса YBa₂Cu₃O₆.₉/In установлены корреляции между аномалиями зависимости rС(Т) и аномалиями температурных зависимостей параметров b и c элементарной ячейки YBa₂Cu₃O₆.₉. Сделан вывод о том, что причиной аномалий rС при T>>TC является спаривание дырочных носителей заряда YBa₂Cu₃O₆.₉ в положительно заряженные бозоны. Резкая и глубокая аномалия rС перед n-s-переходом коррелирует с хорошо известным эффектом изменения знака коэффициента Холла. Она объяснена распадом бозонов и последующей интенсивной конверсией дырочных носителей в электроны.
2016-01-01T00:00:00ZThe contribution to the scattering of electrons in the magnetoresistance of multilayers of nonmagnetic metals
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/111774
The contribution to the scattering of electrons in the magnetoresistance of multilayers of nonmagnetic metals
Protsenko, I.Yu.; Odnodvorets, L.V.; Protsenko, S.I.; Shumakova, M.O.
The semiphenomenological model that describes the scattering of electrons in the implementation of the phenomenon magnetoresistance (MR) three-layer film based on non-magnetic metals were proposed. The quantitative characteristic of the MR is so-called magnetic resistance coefficient βB = dlnR/dB, the value of which on the field dependence not only of the mean free path of the electrons, and a specular parameter and transmission parameters at the grain boundary and interfaces.; Запропонована напівфеноменологічна модель, яка описує процеси розсіювання електронів при реалізації явища магнітоопору (МО) тришарової плівки на основі немагнітних металів. Кількісною характеристикою МО виступає так званий магнітний коефіцієнт опору βB = dlnR/dB, величина якого визначається польовою залежністю не тільки середньої довжини вільного пробігу електронів, а і коефіцієнтів дзеркальності зовнішніх поверхонь плівки, проходження межі зерен та інтерфейсів.; Предложена полуфеноменологическая модель, которая описывает процессы рассеивания электронов при реализации явления магнитосопротивления (МС) трехслойной пленки на основе немагнитных металлов. Количественной характеристикой МС является так называемый магнитный коэффициент сопротивления βB = dlnR/dB, величина которого определяется полевой зависимостью не только средней длины свободного пробега электронов, а и коэффициентов зеркальности внешних поверхностей пленки, прохождения границы зерен и интерфейсов.
2016-01-01T00:00:00Z