Functional Materials, 2005, № 2http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/1326902024-03-28T19:01:47Z2024-03-28T19:01:47ZInvestigation of metal β-diketonates as parent materials for reference samplesYurchenko, O.I.Shevtsov, N.I.Mikhailova, L.I.Belikov, K.N.Titova, N.P.Shkumat, A.A.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/1388552018-06-20T00:05:53Z2005-01-01T00:00:00ZInvestigation of metal β-diketonates as parent materials for reference samples
Yurchenko, O.I.; Shevtsov, N.I.; Mikhailova, L.I.; Belikov, K.N.; Titova, N.P.; Shkumat, A.A.
Stability of synthesized lead, cadmium and chromium (III) β-diketonates and mercury
(I) dimedonate in solid state and in diluted solutions was investigated by titrimetry and inductively coupled plasma optical emission spectrometry. It was shown, that the solid samples are stable during 5 years and the solutions keep the concentration for 4 months. Metal acetylacetonates are recommended as parent substances for manufacturing of reference samples used for calibration of analytical instruments and accuracy control.; Исследована устойчивость синтезированных β-дикетонатов свинца, кадмия, хрома
(III) и димедоната ртути (I) в твердом состоянии и в разбавленных растворах методами титриметрического анализа и атомно-эмиссионной спектрометрии с индукционной плазмой. Показано, что твердые образцы устойчивы в течение 5 лет, а разбавленные растворы сохраняют свою концентрацию 4 месяца. Ацетилацетонаты металлов рекомендованы в качестве исходных веществ для изготовления стандартных образцов состава при градуировке аналитических приборов и контроля правильности результатов анализа.; Дослiджено стiйкiсть синтезованих β-дикетонатiв свинцю, кадмiю, хрому (III) та димедонату ртутi (I) у твердому станi та у розведених розчинах методами титриметричного аналiзу та атомно-емiсiйної спектрометрiї з iндукцiйною плазмою. Показано, що твердi зразки є стiйкими на протязi 5 рокiв, а розведенi розчини зберiгають концентрацiю 4 мiсяцi. Ацетилацетонати металiв рекомендовано як вихiднi речовини для виготовлення стандартних зразкiв складу при градуюваннi аналiтичних приладiв та проведеннi контролю правильностi результатiв аналiзу.
2005-01-01T00:00:00ZModel of TSL-centers in Li₂B₄O₇:A (A = Cu, Ag) single crystalsAdamiv, V.T.Antonyak, O.T.Burak, Ya.V.Pidzyrailo, M.S.Teslyuk, I.M.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/1388542018-06-20T00:05:59Z2005-01-01T00:00:00ZModel of TSL-centers in Li₂B₄O₇:A (A = Cu, Ag) single crystals
Adamiv, V.T.; Antonyak, O.T.; Burak, Ya.V.; Pidzyrailo, M.S.; Teslyuk, I.M.
Basing on spectral studies of the transmission and thermostimulated luminescence of LТВ:А single crystals (А = Cu, Аg), a new mechanism has been proposed to explain the formation of TSL centers therein, so-called А⁰ centers, involving the growth defects of the foreign boron-oxygen complexes. The TSL emission occurs via the energy transfer to a self-localized exciton followed by emissive annihilation thereof.; По результатам спектральных исследований пропускания и термостимулированной люминесценции монокристаллов ТБЛ:А (где А = Cu, Аg) предложен новый механизм формирования в них ТСЛ-центров, так называемых А⁰-центров, с участием ростовых дефектов типа "чужих" борокислородных комплексов. ТСЛ излучение происходит через механизм передачи энергии автолокализированному экситону с его последующей аннигиляцией с излучением.; 3а результатами спектральних дослiджень пропускання i термостимульованої люмiнесценцiї монокристалiв ТБЛ:А (де А = Cu, Аg) запропоновано новий механiзм формування в них ТСЛ-центрiв, так званих А⁰-центрiв, з участю ростових дефектiв типу "чужих" борокисневих комплексiв. ТСЛ випромiнювання вiдбувається через механiзм передачi енергiї автолокалiзованому екситону з його наступною анiгiляцiєю з випромiнюванням.
2005-01-01T00:00:00ZPhysical principles of industrial growing technology of lead tungstate (PWO) for high-energy physics applicationsBeloglovsky, S.Saveliev, Yu.Ippolitov, M.Manko, V.Vasiliev, A.Tamulaitis, G.Apanasenko, A.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/1388532018-06-20T00:07:31Z2005-01-01T00:00:00ZPhysical principles of industrial growing technology of lead tungstate (PWO) for high-energy physics applications
Beloglovsky, S.; Saveliev, Yu.; Ippolitov, M.; Manko, V.; Vasiliev, A.; Tamulaitis, G.; Apanasenko, A.
A new model is proposed describing defects responsible for optical properties and radiation hardness of PWO single crystals. The model clarifies origins of optical properties important for application of PWO as a scintillator in high-energy physics experiments and provides a base for purposeful optimization of growth and annealing processes to achieve reliable reproducibility of specified parameters in production of PWO scintillators on industrial scale. The model is based on assumption that the optical properties of nominally pure PWO are determined mainly by inherent inclusions of tungsten oxides with variable tungsten valence WO₃-ₓ that are formed during the crystal growth and may be modified by thermal treatment or irradiation. The new concept enabled development of industrial
technology at "North Crystals" company, where scintillation blocks with parameters specified for CERN ALICE and CMS projects are being produced now with reproducibility of about 100 %.; Предложена новая модель для описания дефектов, ответственных за оптические свойства и радиационную стойкость монокристаллов PWO. Модель поясняет происхождение оптических характеристик, имеющих важное значение для применения PWO в качестве сцинтиллятора в экспериментах по физике высоких энергий, и обеспечивает основу для направленной оптимизации процессов роста и отжига с целью достижения надежной воспроизводимости заданных параметров при промышленном производстве сцинтилляторов на основе PWO. Модель основывается на допущении, что оптические свойства номинально чистого PWO определяются, в основном, неизбежными включениями оксидов вольфрама с различной валентностью вольфрама WO₃-ₓ, образующимися в процессе роста кристалла, и могут быть модифицированы путем термообработки или облучения. Новая концепция обеспечила возможность разработки промышленной технологии в фирме "Северные Кристаллы", где сцинтилляционные блоки с параметрами, соответствующими требованиям проектов CERN "ALICE" и "CMS", в настоящее время изготовляются с воспроизводимостью, близкой к 100 %.; 3апропоновано нову модель для опису дефектiв, вiдповiдальних за оптичнi властивостi та радiацiйну стiйкiсть монокристалiв PWO. Модель пояснює походження оптичних характеристик, що мають важливе значення для застосування PWO як сцинтилятора в експериментах з фiзики високих енергiй та забезпечує основу для цiлеспрямованої оптимiзацiї процесiв росту та вiдпалу з метою досягнення надiйної вiдтворюваностi заданих параметрiв за умов промислового виробництва сцинтиляторiв на основi PWO. Модель базується на припущеннi, що оптичнi властивостi номiнально чистого PWO визначаються, головним чином, неминучими включеннями оксидiв вольфраму з рiзною валентнiстю вольфраму WO₃-ₓ, якi утворюються у процесi росту кристала, та можуть бути модифiкованi шляхом термообробки або опромiнення. Нова концепцiя забезпечила можливiсть розробки промислової технологiї у фiрмi "Северные Кристаллы", де сцинтиляцiйнi блоки з параметрами, якi вiдповiдають вимогам проектiв CERN "ALICE" и "CMS", на даний час виготовляються з вiдтворюванiстю, близькою до 100 %.
2005-01-01T00:00:00ZSpecific features of the thermoluminescence kinetics of shallow traps in anion-defective single crystals of aluminum oxideKortov, V.S.Nikiforov, S.V.Sadykova, E.Z.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/xmlui/handle/123456789/1388522018-06-20T00:07:01Z2005-01-01T00:00:00ZSpecific features of the thermoluminescence kinetics of shallow traps in anion-defective single crystals of aluminum oxide
Kortov, V.S.; Nikiforov, S.V.; Sadykova, E.Z.
The kinetics of thermoluminescence (TL) arising from shallow traps in single crystals of anion-defective aluminum oxide has been considered. It has been shown that the TL peak at 320-350 К is characterized by identical kinetic parameters in samples containing various concentrations of shallow traps. Кinetic TL parameters for this peak have been calculated by analyzing of the luminescence isothermal decay curves, varying the heating rate, and the peak shape. An interactive relationship of shallow and dosimetric traps in the crystals under study has been supposed.; Проведен анализ кинетики термолюминесценции (ТЛ), обусловленной мелкими ловушками в монокристаллах анион-дефектного оксида алюминия. Показано, что ТЛ пика при 320-350 К характеризуется идентичными кинетическими параметрами у образцов с различной концентрацией мелких ловушек. Рассчитаны кинетические параметры ТЛ этого пика методом анализа кривых изотермического затухания люминесценции, вариации скоростей нагрева и анализа формы пика. Высказано предположение о наличии интерактивной взаимосвязи мелких и дозиметрических ловушек в исследуемых кристаллах.; Виконано аналiз кiнетики термолюмiнесценцiї (ТЛ), обумовленої мiлкими пастками в анiон-дефектних монокристалах оксиду алюмiнiю. Показано, що ТЛ пiка при 320- 350 К характеризується iдентичними кiнетичними параметрами для зразкiв з рiзними концентрацiями мiлких пасток. Обчислено кiнетичнi параметри цього пiка методами аналiзу кривих iзотермiчного згасання люмiнесценцiї, варiювання швидкостi нагрiвання та аналiзу форми пiка. Висловлено припущення про наявнiсть iнтерактивного взаємозв'язку мiлких та дозиметричних пасток у кристалах, що дослiджувалися.
2005-01-01T00:00:00Z