Разработан алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели обратносмещенных pn-i-pn структур с резкими p-n переходами. За основу алгоритма взяты разностные уравнения модифицированного метода встречных прогонок, ...
Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используются уравнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ ...