Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках

Домашня сторінка
→
Загальнонаукова періодика
→
Доповіді Національної академії наук України
→
Доповіді НАН України, 2009
→
Доповіді НАН України, 2009, № 06
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Шпак, А.П.
dc.contributor.author	Покутній, С.І.
dc.contributor.author	Уваров, В.М.
dc.contributor.author	Покутній, М.С.
dc.date.accessioned	2010-06-14T10:18:29Z
dc.date.available	2010-06-14T10:18:29Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках / А.П. Шпак, С. I. Покутнiй, В.М. Уваров, М.С. Покутнiй // Доп. НАН України. — 2009. — № 6. — С. 90-94. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	1025-6415
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8653
dc.description.abstract	Виявлено ефект значного збiльшення енергiї зв’язку екситона Eex(a) в квантових точках (КТ) селенiду та сульфiду кадмiю з радiусами a, сумiрними з борiвськими радiусами екситону aex, у 7,4 та 4,5 разiв вiдповiдно, порiвняно з енергiєю зв’язку екситону у монокристалах CdSe та CdS.	uk_UA
dc.description.abstract	The effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton Eex(a) in quantum dots made of CdSe and CdS with radii a ≈ aex (by 7.4 and 4.5 times, respectively) in comparison with the binding energy of an exciton in monocrystals of CdSe and CdS is found out.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України	uk_UA
dc.subject	Фізика	uk_UA
dc.title	Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках	uk_UA
dc.title.alternative	Binding energy of an exciton in semiconductor quantum dots	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	535.34