Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC

dc.contributor.author	Агеев, О.А.
dc.contributor.author	Светличный, А.М.
dc.contributor.author	Ковалев, Н.А.
dc.contributor.author	Разгонов, Р.Н.
dc.date.accessioned	2014-11-15T10:49:39Z
dc.date.available	2014-11-15T10:49:39Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC / О.А. Агеев, А.М. Светличный, Н.А. Ковалев, Р.Н. Разгонов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70839
dc.description.abstract	Проведен обзор работ, в которых исследовались контактные системы на карбиде кремния. Рассмотрено влияние различных факторов на выпрямляющие свойства контактов, а именно, влияние предварительной обработки поверхности образца до нанесения металла и термообработки сформированной системы "металл—карбид кремния" на высоту барьера. Проведен анализ экспериментальных данных.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технология производства	uk_UA
dc.title	Влияние обработки поверхности и нагрева на высоту потенциального барьера контактов к SiC	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.315.592