Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 6 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 6 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Анизотропный термоэлектрический компаратор 
    Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена возможность создания приборов на основе использования поперечной термоЭДС, которая реализуется в анизотропных термоэлементах. Приведено описание конструкции и параметры термопреобразователя на основе анизотропных ...
  • Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия 
    Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в ...
  • Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления 
    Марончук, И.Е.; Кучерук, А.Д.; Ерохин, С.Ю.; Чорный, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Продемонстрирована возможность создания различных типов датчиков давления на низкоразмерных структурах. Предложены принципиально новые пути расширения динамического диапазона и линейности нагрузочных характеристик ...
  • Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии 
    Круковский, С.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследовано влияние редкоземельных и изовалентных элементов (Yb и Al) на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев GaAs и InGaAs, выращенных методом ЖФЭ из растворов-расплавов Ga и In. Показано, что двойное легирование ...
  • Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники 
    Ажажа, В.М.; Ковтун, Г.П.; Неклюдов, И.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты численного моделирования электрофизических свойств GaAs в зависимости от содержания остаточных примесей, изложены физические методы рафинирования для получения высокочистых Ga, Zn, Cd, Te, Nb, Ta, Zr ...
  • Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС 
    Вербицкий, В.Г.; Золотаревский, В.И.; Николаенко, Ю.Е.; Самотовка, Л.И.; Товмач, Е.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрены некоторые особенности проектирования в части обеспечения правильного функционирования высоковольтных КМОП БИС аналогового ключа с управлением и коммутаторов путем защиты электрической схемы, выполняющей заданное ...
  • Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах 
    Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Стовповой, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена термостабильность омических и выпрямляющих контактных систем AuGe—Ta—Au, AuGe—TaNх—Au, AuGe—TiBх—Au, AuGe—TiBх—Mo—Au и Ti—Au, TiNх—Au, TiBх—Au к эпитаксиальным структурам арсенида галлия n-типа толщиной 3–5 мкм ...
  • Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС 
    Балицкая, В.А.; Вакив, Н.М.; Шпотюк, О.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Обсуждаются экспериментальные реузльтаты низкотемпературной деградации терморезисторов с отрицательным ТКС на основе манганитов переходных металлов (Cu, Ni, Co, Mn)₃O₄. Впервые установлено, что, независимо от химического ...
  • Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников 
    Докторович, И.В.; Бутенко, В.К.; Годованюк, В.Н.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Одной из важных характеристик фотоприемников, которые используются как первичные измерительные преобразователи, является их энергетическая характеристика или динамический диапазон. В работе рассмотрена методика измерения ...
  • Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс” 
    Савицкий, Г.В.; Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Могиляк, И.А.; Тростинский, И.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях ...
  • Охлаждение перспективных накопителей на жестких магнитных дисках с применением тепловых труб 
    Николаенко, Ю.Е.; Кравец, В.Ю.; Стрюченко, В.А.; Белоконенко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведена новая конструкция безвентиляторной системы охлаждения накопителя на жестком магнитном диске (НЖМД), размещенном внутри электронно-вычислительного устройства (ЭВУ). Теплота от НЖМД с помощью тепловых труб отводится ...
  • Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС 
    Новосядлый, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Исследованы высокочастотные плазменные процессы осаждения и травления функциональных слоев при формировании структур БИС с топологическими размерами 0,5—0,8 мкм. Технология обеспечивает минимально привносимую дефектность ...
  • Силовая микросхема для блоков управления газоразрядными источниками света 
    Гаврилюк, Г.И.; Севастьянов, В.В.; Бондарчук, Л.М.; Чечель, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложена схема управления высоковольтными инверторами, в которой устранен эффект «защелкивания» выходных транзисторов драйвера. Описана разработанная силовая микросхема управления высоковольтными инверторами в виде ...
  • Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением 
    Курмашев, Ш.Д.; Викулин, И.М.; Ленков, С.В.; Сидорец, Р.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных ...
  • Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей 
    Курак, В.В.; Цыбуленко, В.В.; Агбомассу, В.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным ...
  • Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей 
    Масенко, Б.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрено получение методом Степанова поликристаллических полых кремниевых призм (ПКП), пригодных для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Экспериментально исследована и проанализирована ...
  • Электротепловой элемент сенсоров газа 
    Лепих, Я.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Описано конструктивно-технологическое исполнение сенсора газа с встроенным электрическим тепловым элементом, выполненным методом тонкопленочной технологии. Проведен расчет мощности изготовленного из нихрома термонагревателя ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис