Стороженко, И.П.; Аркуша, Ю.В.
(Радіофізика та електроніка, 2011)
Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и
резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны ...