Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Магний-воздушный первичный источник тока 
    Короленко, С.Д.; Макордей, Ф.В.; Коноваленко, Л.Д.; Барба, И.Н.; Короленко, Л.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Разработан, изготовлен и испытан новый магний-воздушный первичный источник тока 3,0-ВМБ-7,5, превосходящий известные по энергетическим показателям.
  • Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода 
    Бутенко, В.К.; Докторович, И.В.; Годованюк, В.Н.; Рюхтин, В.В.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрены проблемы, возникающие при определении эффективной площади фото чувствительного элемента фотодиодов по стандартизованной методике. Приведена методика с улучшенными метрологическими возможностями.
  • Метод расчета многоканальных лучевых переключателей с согласующим отрезком на входе 
    Оборжицкий, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Предлагается метод расчета электрических параметров элементов многоканального переключателя лучевого типа, у которого входное согласование обеспечивается трансформирующим отрезком линии, расположенным перед многоплечим ...
  • Методы формирования заданных коммутационных состояний сложных многоканальных систем и сетей 
    Николаенко, В.М.; Березовский, С.А.; Николаенко, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Для решения задач формирования заданных коммутационных состояний сложных многоканальных систем и сетей на базе коммутирующих модулей предложены методы прямой, обратной и гибридных подстановок.
  • Метрологические характеристики яркомера “Тензор-28” 
    Фодчук, И.М.; Докторович, И.В.; Годованюк, В.Н.; Бутенко, В.К.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Приведены результаты исследований метрологических характеристик яркомера "Тензор-28", предназначенного для измерения средней яркости экранов кинескопов и других самоизлучающих поверхностей.
  • Многоканальное высокоточное устройство управления нейрочипом 
    Костенко, В.Л.; Жаровцев, С.О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Предложено многоканальное высокоточное устройство управления нейрочипом, позволяющее минимизировать погрешность при формировании значений весовых коэффициентов синапсов и расширить диапазон их рабочих значений.
  • Моделирование зонда с запирающим потенциалом в проектировании устройств телеметрии и управления 
    Николаенко, В.М.; Николаенко, О.В.; Венедиктов, А.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрены особенности построения термофункциональной гипермодели зонда с запирающим потенциалом и адаптация модели к форме, удобной при проектировании устройств телеметрии и управления.
  • Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD 
    Глушко, А.А.; Родионов, И.А.; Макарчук, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрены особенности технологических процессов изготовления субмикронных КМОП СБИС и их моделирования. Особое внимание уделено моделированию примесного профиля.
  • Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения 
    Захарченко, А.А.; Наконечный, Д.В.; Шляхов, И.Н.; Рыбка, А.В.; Кутний, В.Е.; Хажмурадов, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    На основе разработанной модели исследованы способы коррекции зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов от энергии γ-излучения в диапазоне 50...2000 кэВ.
  • Модель для определения интегрального показателя качества экранирующих радиоматериалов 
    Демьянчук, Б.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Интегральный показатель качества материалов определяется по шестнадцати частным показателям их качества методом построения графиков множественных факторов.
  • Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке 
    Белоусов, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрена кристаллизация силицидной фазы кобальта на поверхности монокристаллического кремния и возможность создания самоформирующихся субмикронных и наноразмерных элементов кремниевых интегральных схем.
  • Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs 
    Мелебаев, Д.; Мелебаева, Г.Д.; Рудь, Ю.В.; Рудь, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Новые книги 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
  • Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А.; Хайдаров, Ш.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Модифицировано устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной ...
  • Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC 
    Лопин, А.В.; Семёнов, А.В.; Пузиков, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    На основе нанокристаллических пленок кубического политипа карбида кремния, полученных прямым ионным осаждением на подложке из лейкосапфира, разработан интерференционный датчик температуры.

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис