Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения

dc.contributor.author	Перевертайло, В.Л.
dc.date.accessioned	2013-12-05T19:56:18Z
dc.date.available	2013-12-05T19:56:18Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения / В.Л. Перевертайло // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 30-34. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51646
dc.description.abstract	Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.	uk_UA
dc.description.abstract	Запропоновано метод визначення потужності дози випромінення за іонізаційним струмом в p—n-пере-ході та радіаційної стійкості МДН інтегральних схем за допомогою низькоенергетичного (10—40 кеВ) рентгенівського випромінювання.	uk_UA
dc.description.abstract	A method is proposed for determination of radiation dose via the ionization current in the p—n-junction and of radiation resistance of MIS integrated circuits with the use of low-energy (10—40 keV) X-rays.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения	uk_UA
dc.title.alternative	Визначення радіаційної стійкості ІС за допомогою низькоенергетичного випромінювання	uk_UA
dc.title.alternative	Determination of radiation resistance of integrated circuits with the use of low-energy X-radiation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	539.1.074.5; 621.382