Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за темою "Материалы электроники"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за темою "Материалы электроники"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating 
    Dzhafarov, T.D.; Aslanov, S.S.; Ragimov, S.H.; Sadigov, M.S.; Nabiyeva, A.F.; Aydin Yuksel, S. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    In the present paper the method is shown to improve the photovoltaic parameters of screenprinted silicon solar cells by nanoporous silicon film formation on the frontal surface of the cell using the electrochemical etching. ...
  • Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства 
    Алиева, Х.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследования показали, что пленки фталоцианина меди, обладая совокупностью уникальных свойств, могут успешно применяться в качестве газочувствительных покрытий резистивных структур. Толщина пленки, в отличие от температуры, ...
  • Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка 
    Кудринский, З.Р.; Ковалюк, З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, ...
  • Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ 
    Алиева, А.П.; Алескеров, Ф.К.; Кахраманов, С.Ш.; Насибова, С.А.; Моройдор, Е.Д.; Пишкин, М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате ...
  • Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками 
    Самойлович, М.И.; Ринкевич, А.Б.; Бовтун, В.; Белянин, А.Ф.; Нужный, Д.; Кемпа, М.; Цветков, М.Ю.; Клещева, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучены оптические, магнитные и диэлектрические свойства, состав и строение образцов нанокомпозитов на основе решетчаты х упаковок наносфер SiO₂ (опаловых матриц), содержащих в межсферических нанополостях кластеры ...
  • Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов 
    Дмитриев, М.В.; Еримичой, И.Н.; Панов, Л.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен инженерный метод прогнозирования диэлектрических потерь в двухкомпонентной стеклокерамике без пор, позволяющий при ее разработке сократить время и средства на проведение экспериментов и расчетов.
  • Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» 
    Матюшин, В.М.; Жавжаров, Е.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально ...
  • Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» 
    Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Ештокина, Т.Ю.; Брусенская, Г.И.; Марчук, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.
  • Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI 
    Старжинский, Н.Г.; Гринёв, Б.В.; Рыжиков, В.Д.; Малюкин, Ю.В.; Жуков, А.В.; Сидлецкий, О.Ц.; Зеня, И.М.; Лалаянц, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис