Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка 
    Кудринский, З.Р.; Ковалюк, З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, ...
  • Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков 
    Кукла, А.Л.; Павлюченко, А.С.; Майстренко, А.С.; Мамыкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показана возможность определения марки и распознавания не лицензионного водно-спиртового напитка на основе измерения и анализа частотных характеристик активной и реактивной составляющих импеданса исследуемого раствора в ...
  • Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой 
    Семенов, А.А.; Усанов, Д.А.; Колокин, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения ...
  • Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера 
    Алексеик, О.С.; Кравец, В.Ю.; Копчевская, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние характерных размеров, граничных условий, а также теплофизических свойств теплоносителя (воды и этанола) на интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера. Получена критериальная ...
  • Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Петров, Д.А.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен новый метод измерения на пряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого ...
  • Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром 
    Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
  • Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP 
    Новицкий, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной ...
  • Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста 
    Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
  • КИХ-фильтры с независимым управлением фазочастотной характеристикой 
    Иванов, В.В.; Шакурский, В.К.; Шакурский, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассматривается структурная реализация цифровых КИХ фильтров методом частотной выборки с возможностью управления фазочастотной характеристикой в реальном времени. Приводятся характеристики элементарных цифровых фильтров, ...
  • Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu₂S 
    Борщак, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Создана универсальная программа, позволяющая управлять процессом сканирования датчика изображения, производить обработку полученных данных с целью компенсации неоднородности фоточувствительности сенсора и преобразовывать ...
  • Конференции 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
  • Матричный светодиодный излучатель для фотодинамической терапии 
    Денисов, Н.А.; Редчук, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен опытный образец излучателя для фотодинамической терапии с использованием фотосенсибилизатора Гиперфлав. Аппарат не имеет аналогов в Украине, по ожидаемым техническим характеристикам не уступает зарубежным образцам ...
  • Метод оценки качества тонкопленочной платы 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработан метод оценки качества тонкопленочной платы, который основан на результатах измерения сопротивления резисторов и вычисления их инструментальных погрешностей. Применение данного метода позволяет увеличить выход ...
  • Методы формирования алгоритмов для расчета перестраиваемых коаксиальных полосовых фильтров СВЧ 
    Парфилов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    В статье рассмотрены особенности моделей и алгоритмов, применяемых при расчете характеристик коаксиальных полосовых фильтров СВЧ с механической перестройкой, на основании которых может быть составлена компьютерная программа ...
  • Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ 
    Алиева, А.П.; Алескеров, Ф.К.; Кахраманов, С.Ш.; Насибова, С.А.; Моройдор, Е.Д.; Пишкин, М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате ...
  • Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями 
    Назарько, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложены микрополосковые электромагнитные кристаллы на основе низкоимпедансных неоднородностей. Показано, что низкоимпедансные неоднородности обеспечивают существенное улучшение развязки сигналов по сравнению с традиционными ...
  • Мировые тенденции развития микроэлектроники и место Республики Беларусь в этом процессе 
    Белоус, А.И.; Пилипенко, В.А.; Турцевич, А.С.; Шведов, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    В обзоре приведен анализ развития микроэлектроники в экономически развитых странах за период 7—10 лет до 2008 года, когда в мировой экономике начало проявляться влияние экономического кризиса. В статье использованы данные ...
  • Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработаны три конструктивно-технологических варианта многоуровневых плат, в которых в качестве межуровневой и защитной изоляции применяется термостойкая толстая (10—30 мкм) пленка фоточувствительного органического ...
  • Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона 
    Коган, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис