Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating 
    Dzhafarov, T.D.; Aslanov, S.S.; Ragimov, S.H.; Sadigov, M.S.; Nabiyeva, A.F.; Aydin Yuksel, S. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    In the present paper the method is shown to improve the photovoltaic parameters of screenprinted silicon solar cells by nanoporous silicon film formation on the frontal surface of the cell using the electrochemical etching. ...
  • Безындуктивные генераторы хаотических колебаний по схеме Чуа 
    Элияшив, О.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложены два альтернативных варианта реализации колебательного звена, которые обеспечивают замену индуктивности в генераторах хаоса. Показано, что использование безындуктивных топологий позволяет избежать влияния разброса ...
  • Визуальные и оптико-электронные автоколлиматоры 
    Фесенко, А.В.; Боровицкий, В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показаны преимущества оптико-электронных автоколлиматоров перед визуальными. Рассмотрена возможность модернизации существующих визуальных систем путем замены автоколлимационных окуляров на блоки с многоэлементными приемниками ...
  • Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников 
    Бобренко, Ю.Н.; Комащенко, В.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, ...
  • Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства 
    Алиева, Х.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследования показали, что пленки фталоцианина меди, обладая совокупностью уникальных свойств, могут успешно применяться в качестве газочувствительных покрытий резистивных структур. Толщина пленки, в отличие от температуры, ...
  • Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами 
    Гниленко, А.Б.; Дзензерский, В.А.; Плаксин, С.В.; Погорелая, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений.
  • В портфеле редакции 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния 
    Дружинин, А.А.; Кутраков, А.П.; Марьямова, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Проведены исследования, направленные на создание тензорезистивных датчиков давления на основе ни/невидных кристаллов кремния, работоспособных при высоких температур. Использование стеклоприпоя для крепления тензорезисторов ...
  • Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка 
    Кудринский, З.Р.; Ковалюк, З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe-p-CaSe и n-ZnSe-p-InSe, ...
  • Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков 
    Кукла, А.Л.; Павлюченко, А.С.; Майстренко, А.С.; Мамыкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показана возможность определения марки и распознавания не лицензионного водно-спиртового напитка на основе измерения и анализа частотных характеристик активной и реактивной составляющих импеданса исследуемого раствора в ...
  • Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой 
    Семенов, А.А.; Усанов, Д.А.; Колокин, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложена теоретическая модель плоской пассивной катушки индуктивности с элект-ронным управлением. Приведены расчетные графики зависимости добротности и индуктивности колебательного контура от напряжения прямого смещения ...
  • Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера 
    Алексеик, О.С.; Кравец, В.Ю.; Копчевская, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние характерных размеров, граничных условий, а также теплофизических свойств теплоносителя (воды и этанола) на интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера. Получена критериальная ...
  • Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Петров, Д.А.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен новый метод измерения на пряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого ...
  • Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром 
    Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
  • Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP 
    Новицкий, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной ...
  • Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста 
    Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
  • КИХ-фильтры с независимым управлением фазочастотной характеристикой 
    Иванов, В.В.; Шакурский, В.К.; Шакурский, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассматривается структурная реализация цифровых КИХ фильтров методом частотной выборки с возможностью управления фазочастотной характеристикой в реальном времени. Приводятся характеристики элементарных цифровых фильтров, ...
  • Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu₂S 
    Борщак, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Создана универсальная программа, позволяющая управлять процессом сканирования датчика изображения, производить обработку полученных данных с целью компенсации неоднородности фоточувствительности сенсора и преобразовывать ...
  • Конференции 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис