Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика низких температур
→
Перегляд Физика низких температур за темою

Перегляд Физика низких температур за темою "XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников"

Результати 1-13 з 13

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary

Charikova, T.B.; Shelushinina, N.G.; Harus, G.I.; Neverov, V.N.; Petukhov, D.S.; Petukhova, O.E.; Ivanov, A.A. (Физика низких температур, 2015)

We present the investigation results of the in-plane ρ(T) resistivity tensor at the temperature range 0.4–40 K in magnetic fields up to 90 kOe (H || c, J || ab) for electron-doped Nd₂₋xCexCuO₄+δ with different degree of ...
Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese

Charikova, T.; Okulov, V.; Gubkin, A.; Lugovikh, A.; Moiseev, K.; Nevedomsky, V.; Kudriavtsev, Yu.; Gallardo, S.; Lopez, M. (Физика низких температур, 2015)

The magnetic moment and magnetization in GaAs/Ga₀.₈₄In₀.₁₆As/GaAs heterostructures with Mn deluted in GaAs cover layers and with atomically controlled Mn δ-layer thicknesses near GaInAs-quantum well (~3 nm) in temperature ...
Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути

Говоркова, Т.Е.; Лончаков, А.Т.; Окулов, В.И.; Андрийчук, М.Д.; Губкин, А.Ф.; Паранчич, Л.Д. (Физика низких температур, 2015)

Проведен анализ магнитной восприимчивости электронных систем гибридизированных состояний примесей железа, кобальта и никеля в кристаллах селенида ртути при низких температурах в связи с недавно обнаруженными свидетельствами ...
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In

Парфеньев, Р.В.; Козуб, В.И.; Андрианов, Г.О.; Шамшур, Д.В.; Черняев, А.В.; Михайлин, Н.Ю.; Немов, С.А. (Физика низких температур, 2015)

Изучено влияние всестороннего сжатия до 10 кбар на сверхпроводящие и электрические характеристики полупроводникового твердого раствора PbzSn₁₋zTe, легированного индием (5 ат.%), в зависимости от содержания свинца. ...
Вступление

Окулов, В.И. (Физика низких температур, 2015)

Уральская зимняя школа по физике полупроводников возникла почти полвека назад и стала редким в своей основе нестандартным форумом исследователей, которых объединяет стремление к неформальному профессиональному и человеческому ...
Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле

Вальков, В.В.; Аксенов, С.В.; Уланов, Е.А. (Физика низких температур, 2015)

Представлено решение задачи о квантовом транспорте электронов через магнитный атом, адсорбированный в разломный контакт между металлическими парамагнитными электродами. В соответствии с экспериментальными данными считалось, ...
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов

Скипетров, Е.П.; Кнотько, А.В.; Слынько, Е.И.; Слынько, В.Е. (Физика низких температур, 2015)

Исследованы кристаллическая структура, фазовый и элементный состав и гальваномагнитные свойства сплавов на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов (Sc, Ti, Cr, V и Fe), синтезированных методом Бриджмена. ...
Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава

Лончаков, А.Т.; Марченков, В.В.; Окулов, В.И.; Окулова, К.А.; Говоркова, Т.Е.; Подгорных, С.М. (Физика низких температур, 2015)

Исследованы температурные зависимости теплоемкости и теплопроводности, а также эффект изменения теплопроводности с напряженностью магнитного поля в сплавах железо–ванадий–алюминий, обладающих в определенных составах вблизи ...
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Клепикова, А.С.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2015)

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных ...
Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия

Кульбачинский, В.А.; Кытин, В.Г.; Реукова, О.В.; Бурова, Л.И.; Кауль, А.Р.; Ульяшин, А.Г. (Физика низких температур, 2015)

Электрические и гальваномагнитные свойства нелегированных и легированных галлием, алюминием и кобальтом пленок оксида цинка и пленок оксида индия, легированного оловом, исследованы в широком диапазоне температур и магнитных ...
Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка

Лашкарев, Г.В.; Штеплюк, И.И.; Евтушенко, А.И.; Хижун, О.Ю.; Картузов, В.В.; Овсянникова, Л.И.; Карпина, В.А.; Миронюк, Д.В.; Хомяк, В.В.; Ткач, В.Н.; Тимофеева, И.И.; Попович, В.И.; Дранчук, Н.В.; Храновский, В.Д.; Демидюк, П.В. (Физика низких температур, 2015)

Рассмотрены свойства материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективных для применений в оптоэлектронике, наноплазмонике и фотовольтаике. Изучены структурные и оптические свойства пленок твердых ...
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

Петров, П.В.; Иванов, Ю.Л.; Аверкиев, Н.С. (Физика низких температур, 2015)

Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре ...
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Козлов, Д.А.; Квон, З.Д.; Савченко, М.Л.; Weiss, D.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А. (Физика низких температур, 2015)

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня ...

Результати 1-13 з 13

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Розділ

Перегляд Физика низких температур за темою "XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Физика низких температур за темою "XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников"

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Розділ

Мій обліковий запис