Борсодержащие примесные центры в алмазах, выращенных в системе магний–углерод

Abstract

В ростовой системе на основе Mg-C при давлении р ≤ 8,2 ГПа и температуре Т ≈ 1800-2000 °С методами спонтанной кристаллизации и наращивания на затравку выращены структурно совершенные монокристаллы алмаза смешанного типа На + lib. Методом ИК-спектроскопии в выращенных кристаллах установлено наличие примесных центров, обусловленных нескомпенсированным бором, и рассмотрены причины их возникновения.

У ростовій системі на основі Mg—C при р тиску ≤ 8,2 ЕПа та температурі Т ≈ 1800 — 2000 °С методами спонтанної кристалізації та нарощування на затравку отримано структурно досконалі монокристали алмазу змішаного типу Па + ИЬ. Методом ІЧ-спектроскопії у вирощених кристалах встановлено наявність домішкових центрів, зумовлених нескомпенсованим бором, та розглянуто причини їх виникнення.

In the Mg-C system at p ≤ 8,2 GPa and T ≈1800-2000 °С structurally perfect type Ila + lib diamond single crystals by spontaneous crystallization and seed-growing methods were obtained. The presence of uncompensated boron impurity center in the grown crystals 'was established by the IR spectroscopy.