Вопросы атомной науки и техники, 2017, № 5
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/132752
2024-03-28T13:02:09ZКомплекс радиационной обработки на базе ускорителя электронов «Электроника У-003»
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136169
Комплекс радиационной обработки на базе ускорителя электронов «Электроника У-003»
Ташметов, М.Ю.; Исматов, Н.Б.; Саидов, Р.П.; Махкамов, Ш.М.
Описан ускорительный комплекс, созданный на базе ускорителя электронов «Электроника У-003», который предназначен для организации исследований по изучению влияния ускоренных электронов на физические процессы, закономерности, механизмы, характеристики и свойства различных объектов, а также для осуществления радиационной обработки изделий, материалов с целью модификации их свойств и придания им новых качеств. Приведены некоторые результаты исследований.; Описано прискорювальний комплекс, створений на базі електронного прискорювача «Електроніка У-003», який призначений для організації досліджень з вивчення впливу прискорювальних електронів на фізичні процеси, закони, механізми, характеристики та властивості різних об'єктів, а також здійснення радіаційної обробки виробів, матеріалів з метою модифікації їх властивостей та придань їм нових якостей. Приведені деякі результати дослідження.; The electron accelerating complex is described which created on base of the electron accelerator “Electronics U-003”. The complex is intended for organizing of the studies on the influence of the accelerated electrons on physical regularities, mechanisms, characteristics and on properties of different objects and also the realization of radiation treatment of items, materials for modification of their properties and give to them of a new quality. Some the obtained experimental results are given.
2017-01-01T00:00:00ZInfrared heaters with thin-film conductive layers were synthesized on the glass by the magnetron sputtering
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136168
Infrared heaters with thin-film conductive layers were synthesized on the glass by the magnetron sputtering
Lytvynenko, V.V.; Shmidko, I.N.; Rodionov, E.V.
This paper examines the infrared heating panels with thin conductivite layer. An oxide semiconductor thin film layer is proposed for improvements of the heating layer’s reliability and stability. Characteristics of the oxide semiconductor thin film’s materials are analyzed and tin oxide film are selected for further research. The results of the experiments and the characteristics of the films depending on technological factors had been given. Considered parameters of infrared radiant heating glass panels with a thin film heating layer. Established maximum allowable electrical parameters of the IR radiating panels with a thin film heating layer, as well as the possibility of increasing the efficiency of IR panels and power savings.; Розглядаються інфрачервоні нагрівальні панелі з тонким провідним шаром. Як провідний матеріал пропонується тонкоплівковий шар оксидного напівпровідника, що підвищує надійність і стабільність нагрівального шару. Аналізуються характеристики матеріалів тонкої плівки оксидного напівпровідника і обґрунтовується вибір плівки оксиду олова для подальших досліджень. Наведено результати експериментів і характеристики плівок у залежності від технологічних факторів їх синтезу. Розглядаються параметри інфрачервоних променистих нагрівальних панелей з тонкоплівковим нагрівальним шаром. Встановлено максимально допустимі електричні параметри інфрачервоних випромінюючих панелей з тонкоплівковим нагрівальним шаром, а також можливість підвищення ефективності інфрачервоних панелей і економії енергії.; Рассматриваются инфракрасные нагревательные панели с тонким проводящим слоем. В качестве проводящего материала предлагается тонкопленочный слой оксидного полупроводника, что повышает надежность и стабильность нагревательного слоя. Анализируются характеристики материалов тонкой пленки оксидного полупроводника и обосновывается выбор пленки оксида олова для дальнейших исследований. Приведены результаты экспериментов и характеристики пленок в зависимости от технологических факторов их синтеза. Рассматриваются параметры инфракрасных лучистых нагревательных панелей с тонкопленочным нагревательным слоем. Установлены максимально допустимые электрические параметры инфракрасных излучающих панелей с тонкопленочным нагревательным слоем, а также возможность повышения эффективности инфракрасных панелей и экономии энергии.
2017-01-01T00:00:00ZНиколай Федорович Шульга (к 70-летию со дня рождения)
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136167
Николай Федорович Шульга (к 70-летию со дня рождения)
15 сентября исполняется семьдесят лет Николаю Федоровичу Шульге – известному
ученому в области квантовой электродинамики и физики взаимодействия частиц большой
энергии с веществом, академику НАН Украины, профессору, генеральному директору
Национального научного центра «Харьковский физико-технический институт»,
академику-секретарю Отделения ядерной физики и энергетики НАН Украины.
2017-01-01T00:00:00ZSurface diffusion induced by low-energy bombardment with He ions: an exchange mechanism
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/136166
Surface diffusion induced by low-energy bombardment with He ions: an exchange mechanism
Dudka, O.V.; Mazilov, A.A.; Gordienko, J.A.
The radiation-induced surface diffusion of molybdenum adatoms was studied using molecular dynamics simulations based on a many-body tight-binding potential interpolated to the short-range repulsive screened Coulombic interactions. It was shown that the He ion impact is accompanied by an extensive surface mobility of Mo atoms. The long radiation-induced atomic jumps, spanning more than a nearest-neighbor distance, were revealed on the {110} terrace. The radiation induced exchange of Mo atoms colliding with Mo {110} surface was found in our mathematical simulations: there were observed exchange processes in which the radiation excited atom entered the surface and another surface atom emerged nearby. These results of MD simulations appear to be the first observation of exchange events in radiation-induced surface diffusion.; Радіаційно-індукована поверхнева дифузія адатомів молібдену була вивчена за допомогою моделювання методом молекулярної динаміки, що базується на багаточастковому потенціалі жорсткого зв'язку з інтерполяцією короткодіючого відштовхування екранованою кулонівською взаємодією. Було показано, що бомбардування іонами Не супроводжується великою поверхневою рухливістю атомів Мо. Довгі радіаційно-індуковані атомні стрибки, що охоплюють відстані більш, ніж найближчі міжатомні, були виявлені на {110} терасах. Радіаційно-індукований обмін атомів Мо, що стикаються з поверхнею Мо {110}, був виявлений в нашому математичному моделюванні: спостерігалися обмінні процеси, в яких радіаційно-збуджений атом проникав у поверхневий шар, а поблизу виходив на поверхню інший атом. Ці результати моделювання являють собою перше спостереження обмінних ефектів у радіаційно-індукованій поверхневій дифузії.; Радиационно-индуцированная поверхностная диффузия адатомов молибдена была изучена с помощью моделирования методом молекулярной динамики, основанном на многочастичном потенциале жесткой связи с интерполяцией короткодействующего отталкивания экранированным кулоновским взаимодействием. Было показано, что бомбардировка ионами Не сопровождается обширной поверхностной подвижностью атомов Мо. Длинные радиационно-индуцированные атомные скачки, охватывающие расстояния более чем ближайшие межатомные, были выявлены на {110} террасах. Радиационно-индуцированный обмен атомов Мо, сталкивающихся с поверхностью Мо {110}, был обнаружен в нашем математическом моделировании: наблюдались обменные процессы, в которых радиационно-возбужденный атом проникал в поверхностный слой, а поблизости выходил на поверхность другой атом. Эти результаты моделирования представляют собой первое наблюдение обменных эффектов в радиационно-индуцированной поверхностной диффузии.
2017-01-01T00:00:00Z