Физика низких температур, 2016, том 42
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/127434
2024-03-28T09:54:58ZСвойства квазисолитонных состояний в нелинейных средах в условиях высокочастотного локального воздействия. Аналитическое описание и сравнение с численным анализом
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129344
Свойства квазисолитонных состояний в нелинейных средах в условиях высокочастотного локального воздействия. Аналитическое описание и сравнение с численным анализом
Белан, В.И.; Ковалев, А.С.; Перетятько, А.А.
Аналитически (в рамках метода коллективных переменных) и численно проанализированы пространственно локализованные возбуждения одномерной магнитной системы во внешнем высокочастотном поле. В случае прямого воздействия локализованного магнитного поля найдены зависимости амплитуды
локальных квазисолитонных состояний от амплитуды этого поля при различных значениях его частоты и
величины затухания в системе. Указано на гистерезисный характер полевой зависимости и появление
«окон нестабильности» стационарных состояний. В этих интервалах нестабильности возбуждения становятся нестационарными: они сопровождаются дополнительной периодической нутацией вектора намагниченности. При этом наблюдаются такие явления нелинейной динамики, как удвоение периода колебаний и переход к хаотическому поведению.; Аналітично (в межах методу колективних змінних) і чисельно проаналізовано просторово
локалізовані збудження одновимірної магнітної системи в зовнішньому високочастотному полі. На разі
прямого впливу локалізованого магнітного поля знайдено залежності амплітуди локальних квазісолітонних станів від амплітуди цього поля при різних значеннях його частоти та величини загасання в
системі. Вказано на гістерезисний характер польової залежності та появу «вікон нестійкості»
стаціонарних станів. В цих інтервалах нестійкості збудження стають нестаціонарними: вони супроводжуються додатковою періодичною нутацією вектора намагніченості. При цьому спостерігаються такі
явища нелінійної динаміки, як подвоєння періоду коливань та перехід до хаотичної поведінки.; Spatially localized excitation of a one-dimensional magnetic system in an external high-frequency field is studied analytically (collective variable method) and numerically. The dependences of the amplitude of local quasi-soliton states on the amplitude of this field for different frequencies and damping in the system are found for the case of direct application of a localized magnetic field. The field dependence is found to have hysteresis and “instability windows” in the stationary states. Within these instability regions, the excitations become nonstationary: they are accompanied by additional periodic nutation of the magnetization vector. Here such nonlinear dynamics phenomena as period doubling and transitions to chaos are observed.
2016-01-01T00:00:00ZValence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129343
Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
Yevych, R.; Haborets, V.; Medulych, M.; Molnar, A.; Kohutych, A.; Dziaugys, A.; Banys, Ju.; Vysochanskii, Yu.
The valence fluctuations which are related to the charge disproportionation of phosphorous ions P⁴⁺+P⁴⁺→P³⁺+P⁺⁵ are the origin of ferroelectric and quantum paraelectric states in Sn(Pb)₂P₂S₆ semiconductors. They involve recharging of SnPS ₃ or PbPS ₃ structural groups which can be represented as half-filled sites in the crystal lattice. Temperature–pressure phase diagram for Sn ₂P ₂S ₆ compound and temperature-composition phase diagram for (Pb ySn ₁– y) ₂P ₂S ₆ mixed crystals, which include tricritical points and where a temperature of phase transitions decrease to 0 K, together with the data about some softening of low energy optic phonons and rise of dielectric susceptibility at cooling in quantum paraelectric state of Pb₂P₂S₆ are analyzed by GGA electron and phonon calculations and compared with electronic correlations models. The anharmonic quantum oscillators model is developed for description of phase diagrams and temperature dependence of dielectric susceptibility.
2016-01-01T00:00:00ZЭкситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129342
Экситоны c пространственно разделенными электронами и дырками в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
Покутний, С.И.
Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона с пространственно разделенными
электроном и дыркой (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической
поверхностью раздела квантовая точка–матрица) в наносистеме, содержащей квантовые точки германия,
выращенные в матрице кремния, по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле кремния. Установлено, что в такой наносистеме в зоне проводимости матрицы кремния сначала возникает зона состояний
электронно-дырочной пары, которая с ростом радиуса квантовой точки переходит в зону экситонных состояний, расположенную в запрещенной зоне матрицы кремния. Показано, что механизмы поглощения света в наносистеме обусловлены переходами электрона между квантоворазмерными уровнями электроннодырочной пары, а также переходами электрона между квантоворазмерными экситонными уровнями.; Виявлено ефект суттєвого збільшення енергії зв'язку екситона з просторово розділеними електроном і
діркою (дірка рухається в об'ємі квантової точки, а електрон локалізований над сферичною поверхнею
розділу квантова точка–матриця) в наносистемі, що містить квантові точки германію, вирощені в матриці
кремнію, в порівнянні з енергією зв'язку екситона в монокристалі кремнію. Встановлено, що в такій
наносистемі в зоні провідності матриці кремнію спочатку виникає зона станів електронно-діркової пари,
яка із ростанням радіуса квантової точки переходить в зону екситонних станів, розташовану в забороненій
зоні матриці кремнію. Показано, що механізми поглинання світла в наносистемі обумовлені переходами
електрона між квантоворозмірними рівнями електронно-діркової пари, а також переходами електрона між
квантоворозмірними екситонними рівнями.; There is a significant increase in the binding energy between the exciton's space-separated electrons and holes (the hole moves across the volume of the quantum dot, and the electron is localized on a spherical surface of the quantum dot-matrix interface) in a nanosystem containing germanium quantum dots grown in a silicon matrix, in comparison to the binding energy of an exciton in a silicon single crystal. It is established that in such a nanosystem, in the conduction band of the silicon matrix there first exists a band of electron-hole pairs which turns into a band of exciton states located in the band gap of the silicon matrix, as the radius of the quantum dot increases. It is shown that the light absorption mechanisms in such nanosystems are implemented by electron transitions between quantum-levels of the electron-hole pair, as well as electron transitions between the quantum-exciton levels.
2016-01-01T00:00:00ZСравнение рамановского рассеяния в неполимеризованных и фотополимеризованных фуллереновых пленках в диапазоне температур 5–300 К
http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/129341
Сравнение рамановского рассеяния в неполимеризованных и фотополимеризованных фуллереновых пленках в диапазоне температур 5–300 К
Песчанский, А.В.; Гламазда, А.Ю.; Плохотниченко, А.М.; Карачевцев, В.А.
Исследованы спектры рамановского рассеяния света неполимеризованной и фотополимеризованной
фуллереновых пленок в области Ag(2) моды (диапазон энергий 1380–1500 см−¹) при температурах от 5 до
300 К. Обнаружено, что кривая температурной зависимости энергии Ag(2) моды в неполимеризованной
пленке С₆₀ испытывает перегиб при прохождении ориентационного фазового перехода (ОФП). В отличие от неполимеризованной пленки энергия мономеров, димеров, линейных цепочек и тримеров фуллеренов в фотополимеризованной пленке монотонно возрастает при понижении температуры. Показано,
что различие между энергией Ag(2) моды мономера в фотополимеризованной пленке и энергией Ag(2)
моды неполимеризованного С₆₀ возникает ниже температуры стуктурного фазового перехода TC. Это
различие обусловлено проявлением ОФП в неполимеризованной пленке, в то время как в полимеризованной пленке этот переход отсутствует. Выявлено, что температура ОФП для неполимеризованной
пленки (TC ~ 235 К) смещена в область более низких температур по сравнению с монокристаллом. Предполагается, что такое смещение температуры перехода связано с влиянием подложки на свойства пленки, а также возможной интеркаляцией атмосферного О₂ или N₂ в октаэдрические пустоты фуллерита.; Досліджено спектри раманівського розсіювання світла неполімеризованої та фотополімеризованої
фулеренових плівок в області Ag(2) моди (діапазон енергій 1380–1500 см−¹
) при температурах від 5 до
300 К. Знайдено, що крива температурної залежності енергії Ag(2) моди в неполімеризованій плівці С₆₀
має перегин при проходженні орієнтаційного фазового переходу (ОФП). На відмінність від неполімеризованої плівки, енергія мономерів, димерів, лінійних ланцюжків і тримерів фулеренів в фотополімеризованій плівці монотонно зростає із зниженням температури. Показано, що різниця між енергією Ag(2)
моди мономеру в фотополімеризованій плівці та енергією Ag(2) моди неполімеризованого С₆₀ виникає
нижче температури стуктурного фазового переходу TC. Ця різниця обумовлена проявом ОФП в неполімеризованій плівці, в той час як у полімеризованій плівки цей перехід відсутній. Виявлено, що температура ОФП для неполімеризованої плівки (TC ~ 235 К) зміщена в область більш низьких температур порівняно з монокристалом. Передбачається, що таке зміщення температури пов’язано з впливом підкладки
на властивості плівки, а також з можливою інтеркаляцією атмосферного О₂ або N₂ в октаедричні пустоти
фулерита.; Raman spectra of non-polymerized and photo-polymerized fullerene films are studied in the region of the Ag(2) mode (energy range 1380–1500 cm−¹) at temperatures of 5–300 K. The temperature dependence of the energy of the Ag(2) mode for non-polymerized C₆₀ films undergoes an inflection on passing through the orientational phase transition. As opposed to the case of non-polymerized film, the energy of the monomers, dimers, linear chains, and trimers of fullerenes in photo-polymerized films increases monotonically as the temperature is lowered. It is shown that a difference in the energies of the Ag(2) mode for the monomer in photo-polymerized films and for the monomer in non-polymerized C₆₀ appears below the structural phase transition temperature T C. This difference is caused by the appearance of an orientational phase transition in the non-polymerized film ( TC ∼ 235 K), while this transition is absent in the polymerized film. It has been found that the temperature of the orientational phase transition for the non-polymerized film ( TC ~ 235 K) is shifted to lower temperatures compared to the single crystal. It is proposed that this shift in the transition temperature is related to the effect of the substrate on the properties of the film, as well as to possible intercalation of atmospheric O₂ or N₂ in octahedral voids of the fullerite.
2016-01-01T00:00:00Z