Український фізичний журналhttp://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/2002024-03-28T21:50:13Z2024-03-28T21:50:13ZДо 75-річчя доктора фізико-математичних наук, професора Ужгородського національного університету Івана Васильовича ХімічаЛазур, В.Ю.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/562272014-02-15T01:12:56Z2010-01-01T00:00:00ZДо 75-річчя доктора фізико-математичних наук, професора Ужгородського національного університету Івана Васильовича Хіміча
Лазур, В.Ю.
2010-01-01T00:00:00ZРегулювання тунельної провідності молекули електричним полем затвораШевченко, Є.В.Петров, Е.Г.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/562262014-02-15T01:13:08Z2010-01-01T00:00:00ZРегулювання тунельної провідності молекули електричним полем затвора
Шевченко, Є.В.; Петров, Е.Г.
Розглянуто вплив потенцiалу затворного електрода на формування тунельного струму в системi “електрод–молекула–електрод”, в якiй внутрiшня частина молекули являє собою лiнiйний мiсток iз сильно делокалiзованими молекулярними орбiталями, що енергетично добре вiдокремленi як вiд рiвнiв Фермi електродiв, так i вiд електронних рiвнiв термiнальних груп молекули. Показано, що потенцiал затворного електрода, зсуваючи розташування електронних рiвнiв мiстка, дозволяє змiнювати провiднiсть молекули. Завдяки такому зсуву можливо керувати вольт-амперними характеристиками молекулярного пристрою в широкому дiапазонi рiзниць потенцiалiв, що прикладаються.; Рассмотрено влияние потенциала затворного электрода на формирование туннельного тока в системе “электрод–молекула–электрод”, в которой внутренняя часть молекулы представляет собой линейный мостик с сильно делокализованными молекулярными орбиталями, энергетически хорошо отделёнными как от уровней Ферми электродов, так и от электронных уровней терминальных групп молекулы Показано, что потенциал затворного электрода, смещая положение электронных уровней мостика, позволяет менять проводимость молекулы. Благодаря такому сдвигу можно управлять вольт-амперными характеристиками молекулярного устройства в широком диапазоне прикладываемой разности потенциалов.; The role of a gate potential on the formation of a tunnel current in the system “electrode–molecule–electrode” has been studied in the configuration where the interior part of the molecule is a linear bridge with strongly delocalized molecular orbitals, the energies of which are assumed to be well separated from both the Fermi levels of electrodes and the electron levels of molecular end groups. It has been shown that the electric potential of the gate electrode governs the molecular conductivity by shifting the electron levels of the bridge. Hence, the current-voltage characteristics of such a molecular device can be controlled in a wide range of bias voltages.
2010-01-01T00:00:00ZТонка структура смуг у коливальних спектрах фулериту C₆₀Корнієнко, М.Є.Куліш, М.П.Алексєєв, С.А.Дмитренко, О.П.Павленко, О.Л.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/562252014-02-15T01:13:02Z2010-01-01T00:00:00ZТонка структура смуг у коливальних спектрах фулериту C₆₀
Корнієнко, М.Є.; Куліш, М.П.; Алексєєв, С.А.; Дмитренко, О.П.; Павленко, О.Л.
Дослiджено тонку структуру низькочастотних коливальних смуг у спектрах комбiнацiйного розсiяння (КР), iнфрачервоного поглинання i дифузного вiдбивання фулериту С₆₀. Вона пов’язана iз компонентами давидiвського та iзотопного розщеплення, якi перекриваються, а також можливим зняттям виродження коливань внаслiдок пониження симетрiї. Показано, що для КР смуг Hg(1), Ag(1) та IЧ-смуг Fu(1,2) величини розщеплень при кiмнатнiй температурi бiльшi, нiж у низькотемпературнiй фазi. Пiдсилення мiжмолекулярної взаємодiї у випадку пiдвищених температур пояснюється нерiвноважним коливальним збудженням середовища в результатi нелiнiйної взаємодiї коливальних мод i змiною електронних станiв.; We investigated the fine structure of low-frequency vibrational bands in the Raman, infrared absorption, and diffuse reflectance spectra of C₆₀ fullerite. It is related to the components of the overlapping Davydov and isotope splittings, as well as to a possible splitting of vibrations due to a reduction of the symmetry. It is shown that the splittings for the Raman Hg(1) and Ag(1) bands and the IR Fu(1,2) bands at room temperature are larger than those in the low-temperature phase. The intensification of the intermolecular interaction at higher temperatures is explained by the nonequilibrium vibrational excitation of the medium due to the nonlinear interaction of vibrational modes and a change of energy states.; Изучена тонкая структура низкочастотных колебательных полос в спектрах комбинационного рассеяния (КР), ИК поглощения и диффузного отражения фуллерита C₆₀, связанная с перекрывающимися компонентами давыдовского и изотопного расщепления, а также возможного снятия вырождения колебаний из-за понижения симметрии. Показано, что для КР полос Hg(1), Ag(1) и ИК полос Fu(1,2) величины расщеплений при комнатной температуре больше чем в низкотемпературной фазе. Усиление межмолекулярного взаимодействия при повышенных температурах объясняется неравновесным колебательным возбуждением среды в результате нелинейного взаимодействия колебательных мод и изменением электронных состояний.
2010-01-01T00:00:00ZЕнергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямоюКрамар, В.М.Ткач, М.В.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/562242014-02-15T01:12:33Z2010-01-01T00:00:00ZЕнергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою
Крамар, В.М.; Ткач, М.В.
Дослiджено перенормування енергетичного спектра електрона у плоскiй напiвпровiдниковiй наногетероструктурi з прямокутною квантовою ямою скiнченої глибини внаслiдок взаємодiї з оптичними поляризацiйними фононами. У рамках методу функцiй Грiна одержано аналiтичний вигляд масового оператора, де враховано двофононнi процеси електрон-фононної взаємодiї при T = 0 K. Обчислено поправку до енергiї дна основної зони електрона та положення перших фононних повторень, викликаних його взаємодiєю з обмеженими, напiвпросторовими та iнтерфейсними фононами.; We investigated the renormalization of the energy spectrum of an electron in a flat semiconductor nanoheterostructure with a rectangular quantum well of finite depth due to its interaction with optical polarization phonons. The analytical form of the mass operator with regard for two-phonon processes of the electronphonon interaction at T = 0 K is obtained in the framework of the Green function method. The corrections to the main-band bottom energy of an electron and positions of the first phonon replicas induced by its interaction with confined, half-space, and interface phonons are calculated.; Исследовано перенормирование энергетического спектра электрона в плоской полупроводниковой наногетероструктуре с прямоугольной квантовой ямой конечной глубины вследствие взаимодействия с оптическими поляризационными фононами. В рамках метода функций Грина получено аналитическое выражение для массового оператора, учитывающего двухфононные процессы электрон-фононного взаимодействия при T = 0 K. Вычислена поправка к энергии дна основной зоны электрона и положение первых фононных повторений, вызванных его взаимодействием с ограниченными, полуограниченными и интерфейсными фононами.
2010-01-01T00:00:00Z