Физика низких температур, 2002, № 10http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1284722024-03-28T18:07:42Z2024-03-28T18:07:42ZИзмерение плотности газов и жидкостей под давлением с помощью магнитной левитации эталонного образцаПанфилов, А.С.Пушкарь, Ю.Я.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1287112018-01-14T01:02:55Z2002-01-01T00:00:00ZИзмерение плотности газов и жидкостей под давлением с помощью магнитной левитации эталонного образца
Панфилов, А.С.; Пушкарь, Ю.Я.
Предлагается простой метод измерения зависимости плотности газов и жидкостей от давления в широком интервале температур, основанный на принципе свободного подвешивания эталонного парамагнитного образца в неоднородном магнитном поле, когда его вес с учетом гидростатической поддержки среды скомпенсирован магнитной силой. В качестве примера использования метода определена плотность газообразного гелия до давлений ~ 2,5 кбар при температурах 20,4 и 77,3 К.; Запропоновано простий метод вимiрювання залежностi густини газiв та рiдин вiд тиску в широкому iнтервалi температур, заснований на принципі вiльного пiдвiшування еталонного парамагнiтного зразка в неоднорiдному магнiтному полi, коли його вага с урахуванням гiдростатичної пiдтримки середовища зкомпенсована магнiтною силою. Як приклад використання методу, визначено густину газоподiбного гелiю до тиску ~ 2,5 кбар при температурах 20,4 та 77,3 К.; A simple method is proposed for measuring the pressure dependence of the density of gases and liquids in a wide temperature range. The method is based on the principle of free suspension of a standard paramagnetic sample in a nonuniform magnetic field, when the magnetic force compensates the weight of the sample, taking account of the hydrostatic support of the medium. As an example of the application of the method, the density of helium gas up to pressure ∼2.5 kbar at temperatures 20.4 and 77.3 K is determined.
2002-01-01T00:00:00ZСолитоны в упругих пластинахКовалев, А.С.Майер, А.П.Соколова, Е.С.Экль, К.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1287102018-01-14T01:03:50Z2002-01-01T00:00:00ZСолитоны в упругих пластинах
Ковалев, А.С.; Майер, А.П.; Соколова, Е.С.; Экль, К.
Исследована нелинейная динамика упругих сдвиговых волн в пластине при учете взаимодействия сдвиговой компоненты смещений с малоамплитудными сагиттальными компонентами. Выведены нелинейные эволюционные уравнения для поля сдвиговых смещений. Эти уравнения содержат дополнительные нелинейные дисперсионные члены, возникающие из-за взаимодействия со смещениями в сагиттальной плоскости. Изучены солитонные решения полученных уравнений и обсуждена возможность существования экзотических солитонов типа компактонов и пиконов.; Досліджено нелінійну динаміку пружніх зсувних хвиль в пластині з урахуванням взаємодії зсувної компоненти зміщень з малоамплітудними сагіттальними компонентами. Виведено нелінійні еволюційні рівняння для поля зсувних зміщень. Ці рівняння містять додаткові нелінійні дисперсійні члени, що виникають через взаємодію зі зміщеннями в сагіттальній площині. Вивчено солітонні розв язки отриманих рівнянь та обговорено можливість існування екзотичних солітонів типу компактонів і пиконів.; The nonlinear dynamics of elastic shear waves is investigated taking into account the interaction of the shear component of the displacements with low-amplitude sagittal components. Nonlinear evolutionary equations are derived for the shear-displacement field. These equations contain additional nonlinear dispersion terms due to the interaction with displacements in the sagittal plane. The soliton solutions of the equations obtained are studied and the possibility of the existence of exotic solitons—compactons and peakons—is discussed.
2002-01-01T00:00:00ZМикроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅Малюкин, Ю.В.Жмурин, П.Н.Гринев, Б.В.Семиноженко, В.П.Знаменский, Н.В.Маныкин, Э.А.Петренко, Е.А.Юкина, Т.Г.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1287092018-01-14T01:02:40Z2002-01-01T00:00:00ZМикроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
Малюкин, Ю.В.; Жмурин, П.Н.; Гринев, Б.В.; Семиноженко, В.П.; Знаменский, Н.В.; Маныкин, Э.А.; Петренко, Е.А.; Юкина, Т.Г.
Представлен обзор результатов исследования энергетического спектра, каналов релаксации энергии и динамики электронных возбуждений оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu SiO₅ и Gd SiO₅. Показано, что кристаллическое поле лигандов неэквивалентных катионных узлов в этих кристаллах сохраняет квазисимметрию искаженных октаэдра и тетраэдра, ионы активатора Pr³⁺ неравномерно распределены по неэквивалентным катионным узлам Y₂SiO₅. При высоких концентрациях ионов активатора (>1 ат.%) в кристалле Y₂SiO₅ наблюдается тушение люминесценции, связанное с миграцией и захватом на ловушки энергии электронных возбуждений оптических центров. Для Y₂SiO₅ : Pr³⁺ проанализирован не свойственный для кристаллов низкотемпературный механизм дефазировки оптических переходов Pr³⁺, обусловленный взаимодействием примесных ионов с двухуровневыми системами многоямного адиабатического потенциала.; Подано огляд результатів дослідження енергетичного спектрa, каналів релаксації енергії та динаміки електронних збуджень оптичних центрів Pr³⁺ в кристалах Y₂SiO₅, Lu SiO₅ и Gd SiO₅. Показано, що кристалічне поле лігандів нееквівалентних катіоннихвузлів у цих кристалах зберігає квазісиметрію спотворених октаедрa та тетраедрa іони активатора Pr³⁺ нерівномірно розподіляються по нееквівалентних катіонних вузлах Y₂SiO₅. При високих концентраціях іонів активатора (> 1 ат.%) в кристалі Y₂SiO₅ спостерігається гасіння люмінесценції, що пов'язано з міграцією та захопленням напастки енергії електронних збуджень оптичних центрів. Для Y₂SiO₅ : Pr³⁺ проаналізованоне властивий для кристалів низькотемпературний механізм дефазіровки оптичних пере-ходів Pr³⁺, обумовлений взаємодією домішкових іонів з дворівневими системами багатоямного адіабатичного потенціалу.; The results of investigations of the energy spectrum, energy relaxation channels, and dynamics of electronic excitations of Pr³⁺ optical centers in Y₂SiO₅, Lu SiO₅ and Gd SiO₅.crystals are reviewed. It is shown that the crystal field of the ligands of nonequivalent cationic sites in these crystals preserves the quasisymmetry of distorted octahedra and tetrahedra; the Pr³⁺ activator ions are nonuniformly distributed over the nonequivalent cationic sites in Y₂SiO₅. For high concentrations of activator ions (>1at.%) in Y₂SiO₅ crystals, the luminescence is quenched as a result of the migration and trapping of the electronic excitations energy of optical centers by traps. For Y₂SiO₅ : Pr³⁺ the low-temperature mechanism of dephasing of the optical transitions of Pr³⁺, which is not characteristic for crystals and is due to the interaction of impurity ions with two-level systems of a multiwall adiabatic potential, is analyzed.
2002-01-01T00:00:00ZОб отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводникахКопелиович, А.И.Мамалуй, А.А.Петренко, Л.Г.Шелест, Т.Н.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1287082018-01-14T01:04:18Z2002-01-01T00:00:00ZОб отклонениях от правила Маттиссена в квазиодномерных проводниках
Копелиович, А.И.; Мамалуй, А.А.; Петренко, Л.Г.; Шелест, Т.Н.
Предложено объяснение большого отклонения от правила Маттиссена, наблюдающегося экспериментально в квазиодномерном металле NbSe₃, поверхность Ферми которого содержит несколько изолированных друг от друга листов. Отклонение от правила Маттиcсена возникает в результате неаддитивного влияния на функцию распределения электронов процессов рассеяния электронов на дефектах решетки (вакансиях Se) и фононах. Показано, что полученные экспериментально температурные зависимости удельного электросопротивления NbSe₃ могут быть удовлетворительно описаны в рамках упрощенной модели одномерной поверхности Ферми, представляющей собой две пары симметричных точек в пространстве квазиимпульсов. Большие отклонения от правила Маттисcена можно объяснить различным характером рассеяния электронов, локализованных на разных структурных цепочках квазиодномерного металла, на дефектах решетки и на фононах.; Запропоновано пояснення великого відхилення від правила Маттіссена, що спос-терігається експериментально в квазіодновимірному металі NbSe₃, поверхня Фермі якогомістить декілька ізольованих один від одного листків. Відхилення від правила Маттіcсенавиникає внаслідок неадитивного впливу на функцію розподілу електронів процесів роз-сіювання електронів на дефектах гратки (вакансіях Se) і на фононах. Показано, щоодержані експериментально температурні залежності питомого електроопору NbSe₃ мо-жуть бути задовільно описані в межах спрощеної моделі одновимірної поверхні Фермі, щоявляє собою дві пари симетричних точок в просторі квазіімпульсів. Великі відхилення відправила Маттіcсена пояснюються різним характером розсіювання электронів, що лока-лізовані на різних структурних ланцюжках квазіодновимірного металу, на дефектахгратки і на фононах.; An explanation is proposed for the large deviation from Matthiessen’s rule observed experimentally in the quasi-one-dimensional metal NbSe₃, the Fermi surface of which contains several sheets which are isolated from each other. The deviation from Matthiessen’s rule arises as a result of the nonadditive influence on the electron distribution function from processes of electron scattering on lattice defects (Se vacancies) and phonons. It is shown that the experimentally obtained temperature dependence of the electrical conductivity of NbSe₃ can be described satisfactorily in the framework of a simplified model of a one-dimensional Fermi surface in the form two pairs of symmetric points in quasimomentum space. Large deviations from Matthiessen’s rule can be explained by the different character of the scattering on lattice defects and on phonons for electrons localized on different structural chains of the quasi-one-dimensional metal.
2002-01-01T00:00:00Z