Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, № 3http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1167992024-03-29T05:32:50Z2024-03-29T05:32:50ZВлияние толщины периода многослойного покрытия MoN/CrN на физико-механические характеристикиСтолбовой, В.А.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1170102017-05-19T00:03:43Z2016-01-01T00:00:00ZВлияние толщины периода многослойного покрытия MoN/CrN на физико-механические характеристики
Столбовой, В.А.
В работе рассмотрено влияние периода слоев на увеличение микротвердости до 39 ГПа многослойного вакуумно-дугового покрытия MoN/CrN. Показано, что ионная очистка хромом и молибденом поверхности подложки приводит к образованию зоны взаимной диффузии, улучшающей адгезионные свойства. Многослойные MoN/CrN покрытия при осаждении на поверхность подложки с потенциалом –20 В приводят к образованию нетекстурированного покрытия с коэффициентом трения около 0,15. Производственные испытания показали увеличение ресурса работы инструмента с вакуумно-дуговым покрытием MoN/CrN до 6 раз по сравнению с инструментом без покрытия.; У роботі розглянуто вплив періоду шарів на збільшення мікротвердості до 39 ГПа багатошарового вакуумно-дугового покриття MoN/CrN. Показано, що іонне очищення хромом і молібденом поверхні підкладки призводить до утворення зони взаємної дифузії, яка поліпшує адгезійні властивості. Багатошарові MoN/CrN покриття при осадженні на поверхню підкладки з потенціалом –20 В призводять до утворення нетекстурованого покриття з коефіцієнтом тертя близько 0,15. Виробничі випробування показали збільшення ресурсу роботи інструменту з вакуумно-дуговим покриттям MoN/CrN до 6 разів у порівнянні з інструментом без покриття.; The paper considers the influence of the period of the layers to increase the micro-hardness up to 39 GPa multilayer vacuum arc coating MoN/CrN. It is shown that ion cleaning of chromium and molybdenum substrate leads to the formation of the interdiffusion zone improves adhesion properties. Multilayer MoN/CrN coating deposited on the substrate surface potential of –20 V to result in formation of non-oriented coating with a friction coefficient of about 0.15. Production tests have shown an increase in tool life with vacuum arc coating MoN/CrN to 6 times compared with the uncoated tool.
2016-01-01T00:00:00ZCrystalline structure and polymorphism in powders and thin films of dibenzotetraaza[14]annuleneUdovitskiy, V.G.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1170092017-05-19T00:02:50Z2016-01-01T00:00:00ZCrystalline structure and polymorphism in powders and thin films of dibenzotetraaza[14]annulene
Udovitskiy, V.G.
The increasing interest in dibenzotetraaza[14]annulene (TAA) is motivated by the demonstrated perspectives for using this organic semiconductor in actively progressive now spintronics and in other fields of electronics. This work is the first study on polymorphism, which may occur in powder and in thin TAA films. The results of this study showed that the initial TAA powder synthesized by chemical methods are both now known polymorphic forms of TAA which were registered at Cambridge Crystallographic Data Centre as GAGVAL and GAGVAL01. It was also found that at the condensation of thin films G-form initially formed while after increasing the film thickness the G01-form will forms also and a continuous films have twophases and contain both known polymorphs — G and G01. The X-ray diffraction pattern indicated also that crystallites in thin TAA films show a strong preffered orientation (texture) with the (100) plane (for G-polymorph) and (002) plane (for G01-polymorph) parallel to the surface of the substrate; Увеличение интереса к дибензотетрааза[14]аннулену (ТАА) обусловлено перспективами использования этого органического полупроводника в активно развивающейся сейчас спинтронике, а также и в других областях электроники. Данная работа является первым исследованием, касающимся полиморфизма, который может иметь место в кристаллах ТАА как в порошкообразном виде, так и в его тонких пленках. Установлено, что в порошкообразном веществе ТАА, синтезированном химическими методами, присутствовали обе известные полиморфные формы ТАА, зарегистрированные в Кембриджском центре кристаллоструктурных данных под шифрами GAGVAL и GAGVAL01 (G и G01). Обнаружено, что при конденсации тонких пленок ТАА вначале преимущественно образуются кристаллиты G-формы. По мере увеличения толщины пленки образуется и G01-форма, а сплошная пленка является двухфазной, т. е. содержит оба известных полиморфа. Рентгенодифракционным методом установлено, что пленки ТАА обладали преимущественной ориентацией кристаллитов (текстурой) плоскостью (100), параллельной подложке для G-формы, и, соответственно, плоскостью (002) для G01-формы.; Зростання інтересу до дибензотетрааза[14]анулену (ТАА) обумовлено перспективами використання цього органічного напівпровідника в спінтроніці, яка зараз активно розвивається, а також і в інших областях електроніки. Ця робота є першим дослідженням, що стосується поліморфізму, який може мати місце в кристалах ТАА як в порошкоподібному стані, так і в його тонких плівках. Виявлено, що в порошкоподібній речовині ТАА, синтезованій хімічними методами, були присутні обидві відомі поліморфні форми ТАА, зареєстровані в Кембриджському центрі кристалоструктурних даних під шифрами GAGVAL та GAGVAL01 (G і G01). Встановлено, що при конденсації тонких плівок ТАА спочатку переважно утворюються кристаліти G-форми. Зі зростанням товщини плівки утворюється також і G01-форма, а суцільна плівка є двохфазною, тобто містить обидва відомі поліморфи. Рентгенодифракційним методом встановлено, що плівки ТАА мали переважну орієнтацію кристалітів (текстуру) площиною (100), паралельною до підкладки для G-форми, і, відповідно, площиною (002) для G01-форми.
2016-01-01T00:00:00ZДинамика информационных потоков по вакуумно-дуговым нитридным покрытиям, полученным испарением высокоэнтропийных сплавовСердюк, И.В.Ковтеба, Д.В.Шепелев, А.Г.Деревянко, В.А.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1170082017-05-19T00:02:51Z2016-01-01T00:00:00ZДинамика информационных потоков по вакуумно-дуговым нитридным покрытиям, полученным испарением высокоэнтропийных сплавов
Сердюк, И.В.; Ковтеба, Д.В.; Шепелев, А.Г.; Деревянко, В.А.
В статье представлены результаты исследования нового типа покрытий, полученных на основе ВЭС с помощью вакуумно-дугового метода. Получены данные о свойствах этих покрытий, проанализирована динамика публикаций, относительный вклад стран и организаций.; У статті представлені результати дослідження нового типу покриттів, отриманих на основі ВЕС за допомогою вакуумно-дугового методу. Отримано дані про властивості цих покриттів, проаналізовано динаміку публікацій, відносний внесок країн і організацій.; The article presents the results of a study of a new type of coatings derived from high entropy alloys using vacuum-arc method. The data on the properties of these coatings were obtained, the dynamics of the publications, the relative contributions of countries and organizations were analyzed
2016-01-01T00:00:00ZПереохлаждение при кристаллизации жидкой фазы легкоплавкого компонента в многослойных пленках с различным характером взаимодействия контактных парПетрушенко, С.И.Дукаров, С.В.Сухов, В.Н.http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/1170072017-05-19T00:03:39Z2016-01-01T00:00:00ZПереохлаждение при кристаллизации жидкой фазы легкоплавкого компонента в многослойных пленках с различным характером взаимодействия контактных пар
Петрушенко, С.И.; Дукаров, С.В.; Сухов, В.Н.
Проведено исследование переохлаждения при кристаллизации жидкой фазы олова и индия в многослойных пленках на основе меди и молибдена. При помощи in situ метода измерения электросопротивления определены величины переохлаждений в данных системах. Показано, что метод измерения электросопротивления чувствителен ко многим процессам, происходящим в многослойных бинарных системах, однако уверенное определение температур фазовых переходов плавление-кристаллизация возможно только для контактных пар с простым типом взаимодействия и отсутствием химических соединений.; Проведено дослідження переохолодження під час кристалізації розплаву олова та індію у багатошарових плівках на основі міді та молібдену. За допомогою in situ методу вимірювання електричного опору визначені величини переохолодження у цих системах. Показано, що метод вимірювання електричного опору є чутливим до багатьох процесів, що спостерігаються у багатошарових бінарних системах, але надійно визначати температури фазових перетворень плавлення-кристалізація можливо лише у контактних парах з простим типом взаємодії та відсутністю хімічних сполук.; The study of supercooling during the crystallization of the liquid phase of tin and indium in multilayer films based on copper and molybdenum has been carried out. Using the in situ method of measuring the electrical resistance, the values of supercooling have been determined in the given systems. It is shown that the electrical resistance measurement method is sensitive to many processes occurring in multilayered binary systems, however, a reliable determination of phase transition temperature melting-crystallization is possible only for the contact pairs with a simple type of interaction and the absence of chemical compounds.
2016-01-01T00:00:00Z