Перегляд за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Результати 1-20 з 101

Наступна сторінка

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов

Белянин, А.Ф.; Самойлович, М.И.; Житковский, В.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Представлены характеристики ненакаливаемых катодов и фотодиодов, сформированных на основе слоистых структур со слоем правильных кубических упаковок наносфер SiO₂, и алмазоподобных материалов.
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе

Блецкан, Д.И.; Вакульчак, В.В.; Феделеш, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)

Проведены комплексные исследования акустических и акустооптических свойств стекол GexS100–x. Определены их основные параметры, такие как показатель преломления, плотность, скорости продольной и поперечной ультразвуковых ...
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона

Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Горохов, Е.В.; Фещенко, В.С.; Талипов, Н.Х. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Изготовлены и исследованы планарные алмазные «солнечно-слепые» фотоприемники УФ-диапазона. Приведено теоретическое обоснование принципов работы и экспериментальные параметры фотоприемников в фоторезистивном и фотодиодном режимах.
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление

Готра, З.Ю.; Дячок, Д.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Представлены методика и результаты определения электрического сопротивления составных частей жесткого столбикового вывода для разных способов соединения.
Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения

Ащеулов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Представлена конструкция устройства, предназначенного для определения распределения плотности лучистых потоков в широких спектральных и динамических диапазонах.
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Саидова, Р.А.; Гиясова, Ф.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, ...
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения ...
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости

Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Шинкаренко, В.В.; Кудрик, Я.Я.; Сай, П.О.; Борщ, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)

Рассмотрены проблемы неоднородности свечения светодиодных RGB-экранов при низких, минимальных градациях яркости, вызванные неоднородностью свечения светодиодов. Установлено, что наибольший разброс значений электрических ...
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Бобренко, Ю.Н.; Комащенко, В.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, ...
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Форш, П.А.; Форш, Е.А.; Мартышов, М.Н.; Тимошенко, В.Ю.; Кашкаров, П.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров ...
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Кушниренко, В.В.; Нинидзе, Г.К.; Павлюк, С.П.; Савицкий, С.М.; Третяк, О.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации

Дементьев, С.Г.; Ключник, Н.Т.; Кузнецов, В.А.; Яковлев, М.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Представлена технология изготовления сплавленных одномодовых мультиплексоров/демультиплексоров с повышенным коэффициентом оптической изоляции (до 60 дБ) и низкими потерями.
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

Горев, Н.Б.; Коджеспирова, И.Ф.; Привалов, Е.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

Абдулхаев, О.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой ...
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена

Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.Н.; Нетяга, В.В.; Заслонкин, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала

Ковальчук, В.А.; Севастьянов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Разработана гибридная интегральная схема с номинальным напряжением питания 1,4 В, током потребления 0,7 мА и габаритными размерами 8x4x3 мм для обработки звукового сигнала в автономной аппаратуре.
Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi

Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Получены перспективные для детектирования оптических сигналов двухбарьерные структуры и поверхностно-барьерные структуры с модифицированными охранными высокоомными слоями с перекрытием металла.
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄

Войцеховский, А.В.; Несмелов, С.Н.; Кульчицкий Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники

Коваленко, Л.Ф.; Жураковский, И.Ю.; Сташевский, В.В.; Севастьянов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Рассматриваются особенности конструирования авиационных мониторов на ЖК-панелях. Выделены ключевые вопросы обеспечения заданных эксплуатационных характеристик ЖК-мониторов в кабине самолета.
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры

Обухов, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)

Дано объяснение наблюдаемого в эксперименте изменения температурной зависимости сопротивления металлических квантовых проводов при изменении их поперечного размера.

Результати 1-20 з 101

Наступна сторінка

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Функциональная микро- и наноэлектроника"

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис