Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд за темою "Функциональная микроэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за темою "Функциональная микроэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов 
    Брайко, Г.И.; Винник, Д.М.; Ижнин, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассматриваются особенности разработки акустооптических модуляторов, применяемых в системах спектрального анализа радиосигналов, работающих в диапазоне частот 1-2 ГГц. Изготовлены акустооптические модуляторы, работающие в ...
  • Анизотропный термоэлектрический компаратор 
    Ащеулов, А.А.; Гуцул, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Рассмотрена возможность создания приборов на основе использования поперечной термоЭДС, которая реализуется в анизотропных термоэлементах. Приведено описание конструкции и параметры термопреобразователя на основе анизотропных ...
  • Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля 
    Мокрицкий, В.А.; Маслов, О.В.; Николаенко, Ю.Е.; Максимов, М.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Пропорциональный импульсный режим работы CdZnTe-детектора позволяет существенно повысить качество измерений, компенсировать энергетическую зависимость чувствительности.
  • Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов 
    Власенко, А.И.; Власенко, З.К.; Гнатюк, В.А.; Смирнов, А.Б.; Курило, И.В.; Рудый, И.А.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно ...
  • Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения 
    Кутний, В.Е.; Кутний, Д.В.; Рыбка, А.В.; Абызов, А.С.; Давыдов, Л.Н.; Наконечный, Д.В.; Шляхов, И.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО.
  • Двухспектральный фотоприемник 
    Добровольский, Ю.Г.; Комаров, Е.В.; Биксей, М.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Приведены результаты разработки двухспектрального фотоприемника, в котором фотодиоды расположены один над другим. Фотоприемник отличается повышенной чувствительностью верхнего фотодиода.
  • Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников 
    Болгов, С.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня ...
  • Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений 
    Ницович, Б.М.; Докторович, И.В.; Годованюк, В.Н.; Бутенко, В.К.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Приведены результаты исследований метрологических характеристик методик измерений вольтовой чувствительности и обнаружительной способности фотоприемных устройств.
  • Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА 
    Николаенко, Ю.Е.; Рассамакин, Б.М.; Хайрнасов, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Приведены результаты экспериментального исследования рабочих характеристик контурных тепловых труб (КТТ) с ацетоном и аммиаком. Корпус КТТ изготавливался из нержавеющей стали и алюминия. Испарительная камера выполнялась ...
  • Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe 
    Боднарук, О.А.; Громко, Е.Д.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э.; Раренко, И.М.; Швец, А.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Координатно-чувствительные термоэлектрически охлаждаемые фотоприемные устройства регистрируют угол положения излучения и его мощность в диапазоне 8-14 мкм.
  • Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников 
    Докторович, И.В.; Бутенко, В.К.; Годованюк, В.Н.; Юрьев, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Одной из важных характеристик фотоприемников, которые используются как первичные измерительные преобразователи, является их энергетическая характеристика или динамический диапазон. В работе рассмотрена методика измерения ...
  • Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы 
    Осадчук, В.С.; Осадчук, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Приведены рекомендации по проектированию микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей температуры, оптического излучения, магнитной индукции и давления.
  • Микрочиповые лазеры 
    Матковский, А.О.; Сыворотка, И.М.; Убизский, С.Б.; Мельник, С.C.; Вакив, Н.М.; Ижнин, И.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
    Твердотельные микролазеры нового поколения с накачкой полупроводниковыми лазерными диодами — микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности резонатора — являются перспективными источниками когерентного одномодового ...
  • Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах 
    Демёхин, В.В.; Данилов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Использование для двоичной записи информации 2-3-мерных элементов сигналограммы приводит к возможности повышения плотности записи информации в (2-4)N раз.
  • Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе 
    Кондрик, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    Проведен количественный поиск оптимального состава CdZnTe для получения максимальной эффективности сбора зарядов в детекторах γ-излучения.
  • Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов 
    Емцев, П.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. ...
  • Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники 
    Викулин, И.М.; Ирха, В.И.; Коробицын, Б.В.; Горбачев, В.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
    На примере арсенидгаллиевых p-n-структур рассмотрена возможность использования электролюминесценции p-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников.
  • Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников 
    Косяченко, Л.А.; Раренко, И.М.; Марков, А.В.; Остапов, С.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны ...
  • Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов 
    Попович, Н.И.; Довгошей, Н.И.; Качер, И.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики ...
  • Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике 
    Ющук, С.И.; Юрьев, С.А.; Костюк, П.С.; Бондар, В.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    На основе выращенных пленок железоиттриевого граната разработаны СВЧ полосно-пропускающие фильтры, линии задержки для использования в СВЧ-электронике.